高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

高溫四探針測試儀可以實現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅各領域、鍺單晶（棒料顯示、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其他導電薄膜的方塊電阻的有效手段。

高溫四探針測試儀的測量原理

1. 測量電阻率的方法很多共同努力，如三探針法、電容-電壓法提升、擴展電阻法等持續，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法通過活化。
2. 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針等形式，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差組合運用。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時的特點，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

      3.采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)研究與應用，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng)造了有利條件適應性。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢

1. 采用雙電測組合四探針法進行測試，測試結(jié)果與探針間距無關有效保障，能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響激發創作，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭更高效。
2. 采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應的功能，對小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時探索，不需要對樣品做幾何測量，也不需要尋找修正因子。
3. 采用雙電測組合四探針法重要作用，不移動四探針針頭堅持先行，同時使用三種模式測量，既可計算得到測試部位的電阻均勻性增幅最大。