高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

高溫四探針測試儀可以實現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅廣度和深度、鍺單晶（棒料著力增加、晶片）電阻率和外延層智能化、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

高溫四探針測試儀的測量原理

1. 測量電阻率的方法很多處理，如三探針法建設、電容-電壓法、擴展電阻法等助力各業，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理提供有力支撐，同時采用了雙電測組合四探針法應用。
2. 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針品率，如果針間距離不等或探針有游移相貫通，就會造成實驗誤差。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時積極影響，要求計入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正自動化方案。

      3.采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件越來越重要。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢

1. 采用雙電測組合四探針法進(jìn)行測試線上線下，測試結(jié)果與探針間距無關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響醒悟，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭數據顯示。
2. 采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應(yīng)的功能，對小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時也逐步提升，不需要對樣品做幾何測量記得牢，也不需要尋找修正因子。
3. 采用雙電測組合四探針法重要的作用，不移動四探針針頭更多可能性，同時使用三種模式測量，既可計算得到測試部位的電阻均勻性足夠的實力。