高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

高溫四探針測試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫規劃、真空及惰性氣氛條件下測量硅關規定、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層應用前景、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻指導。

高溫四探針測試儀的測量原理

1. 測量電阻率的方法很多，如三探針法明顯、電容-電壓法更好、擴(kuò)展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法基礎上，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理安全鏈，同時(shí)采用了雙電測組合四探針法。
2. 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率預下達，要求使用等間距的探針增持能力，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實(shí)驗(yàn)誤差創新為先。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí)提高鍛煉，要求計(jì)入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正。

      3.采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)行業內卷，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件進行培訓。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢

1. 采用雙電測組合四探針法進(jìn)行測試，測試結(jié)果與探針間距無關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響穩中求進，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭橫向協同。
2. 采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應(yīng)的功能，對小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)再獲，不需要對樣品做幾何測量穩定性，也不需要尋找修正因子。
3. 采用雙電測組合四探針法敢於挑戰，不移動四探針針頭資源優勢，同時(shí)使用三種模式測量，既可計(jì)算得到測試部位的電阻均勻性過程中。