新材料電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?mdash;—測(cè)量程序及測(cè)量條件

5測(cè)量程序

5.1  測(cè)量條件

5.1.1 環(huán)境溫度為 23±5℃ ，相對(duì)濕度不大于65%.

5.1.2 電磁屏蔽提供堅實支撐。

5.1.3 高阻試樣應(yīng)在光屏蔽條件下測(cè)量活動。

5.1.4 試樣中電場(chǎng)強(qiáng)度不能過(guò)大，以避免少數(shù)載流子注入創造更多。如果使用的電流適當(dāng)還不大，則用該電流的兩倍或一半時(shí)，引起電阻率的變化應(yīng)小于0. 5%

5.2   確定探針間距與探針狀態(tài)

5.2.1 將四探針以正常壓力壓在嚴(yán)格固定的拋光硅片表面上連日來，形成一組壓痕.提起探針保障性，在垂直于探針尖連線(xiàn)方向上移動(dòng)硅片表面或探針0. 05~0.10 mm，再將探針壓到硅片表面上信息化技術，重復(fù)上述步驟領先水平，直到獲得10組壓痕。

注：建議在兩組或3組壓痕后責任製，將硅片表面或探針移動(dòng)上述距離的兩倍效率，以幫助操作者識(shí)別壓痕屬于哪一組。

5.2.2 將硅片表面清洗去完善，用空氣干燥意料之外。

5.2.3將此具有壓痕的硅片表面置于工具顯微鏡的載物臺(tái)上，使y軸的讀數(shù)（圖6中的y^B和y^A ）相差不大于0.150mm上高質量，把在工具顯微鏡中的10組壓痕A到H的x軸讀數(shù)記錄在表中精準調控，到1μm.

5.2.4   在放大倍數(shù)不小于 400倍的顯微鏡下檢查壓痕。

5.2.5  按6.1條計(jì)算探針間距S建設應用，平均探針間距S.標(biāo)準(zhǔn)偏差o優化程度；和探針系數(shù)C。

5.2.6   對(duì)于合格的探針應用的因素之一，必須滿(mǎn)足下述條件基礎。

5.2.6.1 對(duì)于S，來(lái)說(shuō)奮勇向前，3組10次測(cè)量值的每一組樣品標(biāo)準(zhǔn)偏差a引領作用，應(yīng)小于S的0. 30%

5.2.6.2 S₁,S₂和S₃的差應(yīng)不大于 2%.

5.2.6.3 每根探針的壓痕應(yīng)只出現(xiàn)一個(gè)接觸面，大直徑線(xiàn)度小于100μm.如果有的壓痕出現(xiàn)不連續(xù)的接觸面經驗，則換探針并重新測(cè)量。

5.2.6.4 在放大倍數(shù)為 400倍的顯微鏡下檢驗(yàn)時(shí)，在與硅片表面的接觸面上出現(xiàn)明顯的橫向移動(dòng)的探針是不合格的。該探針系統(tǒng)必須重新調(diào)整對外開放，以防止上述移動(dòng)互動式宣講。