高溫四探針測(cè)試儀的主要功能特點(diǎn)介紹
更新時(shí)間：2020-04-23 點(diǎn)擊次數(shù)：1237
高溫四探針測(cè)試儀采用由四端測(cè)量方法測(cè)試電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱為一體的的高溫測(cè)試系統(tǒng)強大的功能，滿足半導(dǎo)體及導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的測(cè)量要求，通以在高溫 解決方案、真空優勢、氣氛的條件下測(cè)量導(dǎo)電材料電阻和電阻率，可以分析被測(cè)樣的電阻和電阻率隨溫度增產、 時(shí)間變化的曲線便利性。目前主要針對(duì)圓片、方塊行動力、長(zhǎng)條等樣品進(jìn)行測(cè)試提供有力支撐。
高溫四探針測(cè)試儀廣泛用于碳系導(dǎo)電材料、 金屬系導(dǎo)電材料保供、 金屬氧化物系導(dǎo)電材料自行開發、結(jié) 構(gòu)型高分子導(dǎo)電材料、復(fù)合導(dǎo)電材料等材料的電阻率測(cè)量責任。 主要有生產(chǎn)企業(yè)應用情況、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷組建、硅表現、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率首次、測(cè)定硅外延層可能性更大、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)搖籃。
1關鍵技術、采用雙電測(cè)組合測(cè)量模式，不用進(jìn)行系數(shù)修正深入；
2技術研究、可以測(cè)量高溫、真空開展研究、氣氛條件下薄膜方塊電阻和薄層電阻率姿勢；
3、可以分析方塊電阻和電阻率隨溫度變化的曲線首要任務；
4綠色化、可以自動(dòng)調(diào)節(jié)施加在樣品的測(cè)試電壓不同需求，以防樣品擊穿；
5保持穩定、可以與美國keithley2400數(shù)字源表配套測(cè)量半導(dǎo)體材料總之；
6、可以通過USB傳輸數(shù)據(jù)支撐作用，數(shù)據(jù)格式是Excel格式研學體驗。
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