壓電半導(dǎo)體的介紹

    壓電材料的演變過程基本上是：晶體（天然水晶到人工水晶）→壓

電陶瓷（鈦酸鋇飛躍、鋯鈦酸鉛及鈮鈷酸鉛）→晶體更高效。目前應(yīng)用大的仍

是壓電陶瓷，并作了大量改性工作和尋找新系統(tǒng)自動化方案，另一方面大力培育

人工晶體緊密協作，除常用的水晶外，目前壓電晶體可分兩大類線上線下，即壓電

單晶和壓電半導(dǎo)體發揮重要作用，前者以LiNbO₃、LiTaO₃為代表后者以CdS數據顯示、

ZnO為代表高質量。壓電半導(dǎo)體是六十年代興起而盛行的材料，為時十年記得牢，

發(fā)展極為迅速註入了新的力量。

壓電半導(dǎo)體即具有壓電性與半導(dǎo)體的物質(zhì)。大致可分為三類：

1更多可能性、Ⅱb－Ⅵb族化合物:CdS去創新、CdSe、ZnO緊迫性、ZnS結構、CdTe等更適合。

2、Ⅲb－Ⅴb族化合物:GaAs溝通協調、GaSb要素配置改革、InAs、InSb等保障性。

3核心技術體系、Ⅳb族元素:Se、Te等持續發展。

    其晶體結(jié)構(gòu)大部分為纖維鋅礦形（6mm）或閃鋅礦形（43m）必然趨勢，

故具有壓電。另因有一定的禁帶寬和適當?shù)碾s質(zhì)等級擴大，故具有半

導(dǎo)體多樣性。用e形式表示壓電基本式的電彈矩陣見表1。其晶軸方向與

振動波的見表2新格局。從表中得知明顯，對纖維鋅礦單晶在平行或垂直于C

軸方向加電塌即可；對閃鋅礦單晶顯示，在【111】和【110】方向加電塌

即可充分。這對應(yīng)用參考價值很大。

    壓電半導(dǎo)體品種繁多集聚，但目前用得多的是CdS競爭力，其次ZnO，此外

還有CdSe狀況、ZnS等機製性梗阻。其壓電參數(shù)見表3