熱釋電效應(yīng)的強(qiáng)弱可用熱釋電系數(shù)來表示空間廣闊。在溫度變化?T的情況下，如果晶體自發(fā)極化強(qiáng)度改變了?P效果，則?P與?T間的關(guān)系可用下式表示?P=p?T 

值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時(shí)，要保持晶體應(yīng)變?yōu)榱愕臈l件是不易實(shí)現(xiàn)的服務水平，所以在一般情況下測(cè)得的是自由熱釋電系數(shù)線上線下。

  反過來，對(duì)熱釋電晶體絕熱施加電場(chǎng)時(shí)能力建設，其溫度將發(fā)生變化知識和技能，這種效應(yīng)稱為逆熱釋電效應(yīng)或電生熱效應(yīng)。

  利用熱釋電效應(yīng)可制成良好的紅外敏感元件醒悟。其對(duì)熱釋電材料的要求是：①能充分吸收入射的紅外線進行部署；②為了使吸收的單位熱能對(duì)應(yīng)大的溫度上升幅度，熱釋電材料體比熱應(yīng)小新模式，且方便加工成微型或薄膜化元件重要作用；③跟溫度對(duì)應(yīng)的表面電荷變化大高質量，即熱釋電系數(shù)p大，室溫下的戶值p大很重要，T（居里溫度）適當(dāng)高時(shí)，熱釋電系數(shù)p變大（T低使工作溫度受到限制，且熱釋電系數(shù)p的溫度變化也大）保護好；④與表面電荷變化相應(yīng)的電容小參與水平，即材料的介電量小有望；⑤構(gòu)成嗓聲源之一的介電損耗角正切tanδ小智能設備。