測(cè)試電路法可分恒電壓和恒電流兩種測(cè)量電路。恒電壓測(cè)量電路如圖4.5-33所示新的動力。圖中分壓電阻R_i的阻值與信號(hào)發(fā)生器的輸出阻抗相匹配的過程中。一般取R_T1=R_T2，終端電阻R_T2的取值應(yīng)與試樣的動(dòng)態(tài)電阻R₁相應(yīng)廣泛關註，參考值為5.1Ω促進進步。A-B間的分布電容C_AB遠(yuǎn)低于試樣的自由電容C^T，分布電容C_T1優勢領先、C_T2的電抗應(yīng)滿足：1/ωC_T1>R_T1, 1/ωC_T2>R_T2競爭激烈。

      恒流源傳輸測(cè)試線路如圖4.5-34所示。圖中匹配電阻R_T3阻值與信號(hào)發(fā)生器的輸出阻抗相匹配改善，限流電阻R_T4的取值應(yīng)遠(yuǎn)大于試樣的動(dòng)態(tài)電阻R₁空白區，參考值為1kΩ。A-B間的分布電容C_AB遠(yuǎn)低于試樣的自由電容 C^T 信息化。

圖4.5-33恒壓源傳輸測(cè)試線路 ~ -信號(hào)發(fā)生器形勢；-I  I-一試樣；f一數(shù)字頻率計(jì)取得明顯成效；V一高頻電壓表約定管轄；R_i一分壓電阻；R_TI一分壓電阻使用；R_T2一終端電阻大幅拓展；C_TI發行速度、C_T2一分布電容   

圖4.5-34恒流源傳輸測(cè)試線路 ~ -信號(hào)發(fā)生器；f一數(shù)字頻率計(jì)與時俱進；V一高頻電壓表性能；-I  I-一試樣；R_T3一匹配電阻綜合運用；R_T4-限流電阻

      要求信號(hào)發(fā)生器的頻率瞬時(shí)穩(wěn)定度高于待測(cè)頻率的準(zhǔn)確度供給，輸出波形為正弦波。諧波失真抑制大于30dB實事求是。頻率計(jì)的測(cè)試誤差小于士1Hz進行探討，輸入阻抗遠(yuǎn)大于信號(hào)發(fā)生器輸出阻抗，且不影響信號(hào)發(fā)生器輸出電平服務水平。

      電壓表的輸入阻抗大于1MΩ最新，輸入電容不大于40pF，頻率范圍高于待測(cè)頻率處理方法，靈敏度高體驗區。

      屏蔽盒與各儀表連接用短屏蔽線，屏蔽盒應(yīng)妥善接地活動上，接插件采用通用高頻插頭有望。試樣支架夾持力要小，并保證夾具與試樣電極面接觸良好導向作用，接觸點(diǎn)的直徑為φ0.3~1mm方案，夾持點(diǎn)要求夾在試樣電極面上接近圓邊外，如φ20×2 mm推薦試樣夾持點(diǎn)距圓邊2mm左右十大行動。支架應(yīng)絕緣良好左右。

       試樣支架示意圖見圖4.5-35。試樣徑向固定綜合措施，有利于厚度方向伸縮振動(dòng)自由可靠保障。用彈性銅電極接觸試樣電極面上接近

圖4.5-35標(biāo)準(zhǔn)推薦的試樣支架示意圖1一圓形膠木支架框；2一試樣徑向固定的夾緊螺栓設計標準；3一銅彈簧電極開展，3與5相連；4一膠木支架座發揮重要帶動作用；5-接入測(cè)試線路的支架插頭意向；6一被測(cè)試樣，電極面與3接觸圓邊處至關重要，壓力小且接觸良好發展空間。

      試樣為薄圓片，兩主平面不平行度不大于厚度公差的一半有所應，在兩主平面上全部被覆金屬層作為電極足了準備，沿厚度方向進(jìn)行極化處理合作關系。試樣直徑d與厚度t之比應(yīng)滿足單純厚度振動(dòng)模式的要求，根據(jù)不同瓷料深刻內涵，選擇一定的試樣尺寸比傳遞，直徑d和厚度t之比d/t為6~12。推薦試樣尺寸為φ20mm×2mm交流等。

      測(cè)試前試樣應(yīng)保持清潔干燥更加廣闊，根據(jù)不同瓷料要求規劃，極化后存放一定時(shí)間提高，并在規(guī)定的環(huán)境下放置二小時(shí)后進(jìn)行測(cè)試。

      正常試驗(yàn)環(huán)境為大氣條件進入當下，溫度為20~30℃紮實，相對(duì)濕度45%~75%，氣壓86~106kPa新體系。仲裁試驗(yàn)環(huán)境為標(biāo)準(zhǔn)大氣條件投入力度，溫度25士1℃，相對(duì)濕度48%~52%不難發現，氣壓86~106kPa貢獻法治。

       試樣兩端測(cè)試電場(chǎng)E的要求為：①測(cè)電容E≤5V/mm；②測(cè)試頻率及動(dòng)態(tài)電阻E≤30mV/mm發展需要。