鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元一般有兩結(jié)構(gòu)使用，分別為 1T1C（One transistor one capacitance）結(jié)構(gòu)和 2T2C （Two transistor two capacitance）結(jié)構(gòu)合規意識，如圖 2-3 所 示。前者使用一個(gè)晶體管及一個(gè)鐵電電容組成一個(gè)存儲(chǔ)單元有效性，而后者則各為兩個(gè)創新內容。1T1C 結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是能夠非常大的節(jié)省存儲(chǔ)單元所占芯片面積機遇與挑戰，但是該結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致陣列中位線（Bit Line）的電壓差變低，讀出時(shí)對(duì)靈敏放大器的要求會(huì)高善於監督；2T2C 結(jié)構(gòu)雖然會(huì)使用大的面積集成技術，但是由于每個(gè)存儲(chǔ)單元都含有兩個(gè)鐵電電容，其陣列中兩根位線上的電壓差會(huì)大至關重要，讀出時(shí)準(zhǔn)確性會(huì)高發展空間。

在本文中，我們采用 2T2C 型存儲(chǔ)單元作為我們?cè)O(shè)計(jì)的鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元有所應。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個(gè)晶體管和兩個(gè)鐵電電容組成足了準備，其連接方式如圖 2-3 右圖所示，該存儲(chǔ)單元包含 4 根與外部連接的信號(hào)著力提升。其中 WL（Word Line）為字線深刻內涵，連接到兩個(gè)晶體管的柵極，用于控制兩個(gè) NMOS 晶體管的開關(guān)融合；BL深入闡釋、BLN 為位線，用于向存儲(chǔ)單元中寫入或讀出數(shù)據(jù)完成的事情；PL（Plate Line）為板線統籌，連接到鐵電電容的一極，用于給鐵電電容充電使其極化協同控製；Fcap1 與 Fcap2 是兩個(gè)鐵電電容振奮起來，其一極共同連接至 PL，另一極分別與兩個(gè) NMOS 相連利用好，當(dāng) WL 開啟時(shí)深入各系統，這一極便可以與位線導(dǎo)通。