鐵電存儲器的基本存儲單元一般有兩結(jié)構(gòu)全面革新，分別為 1T1C（One transistor one capacitance）結(jié)構(gòu)和 2T2C （Two transistor two capacitance）結(jié)構(gòu)勞動精神，如圖 2-3 所 示。前者使用一個晶體管及一個鐵電電容組成一個存儲單元方便，而后者則各為兩個明顯。1T1C 結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是能夠非常大的節(jié)省存儲單元所占芯片面積，但是該結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致陣列中位線（Bit Line）的電壓差變低基石之一，讀出時對靈敏放大器的要求會高基礎上；2T2C 結(jié)構(gòu)雖然會使用大的面積，但是由于每個存儲單元都含有兩個鐵電電容行業分類，其陣列中兩根位線上的電壓差會大預下達，讀出時準(zhǔn)確性會高。

在本文中應用領域，我們采用 2T2C 型存儲單元作為我們設(shè)計的鐵電存儲器的基本存儲單元自動化。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個晶體管和兩個鐵電電容組成，其連接方式如圖 2-3 右圖所示深入開展，該存儲單元包含 4 根與外部連接的信號更優美。其中 WL（Word Line）為字線，連接到兩個晶體管的柵極，用于控制兩個 NMOS 晶體管的開關(guān)更為一致；BL、BLN 為位線堅定不移，用于向存儲單元中寫入或讀出數(shù)據(jù)落地生根；PL（Plate Line）為板線，連接到鐵電電容的一極技術的開發，用于給鐵電電容充電使其極化成效與經驗；Fcap1 與 Fcap2 是兩個鐵電電容，其一極共同連接至 PL，另一極分別與兩個 NMOS 相連提供了有力支撐，當(dāng) WL 開啟時飛躍，這一極便可以與位線導(dǎo)通。