介電是介電材料重要的，一般指介電常數(shù)ε‘和損耗角正切tanδ最新。對于不同的材料技術創新，在不同的條件下，其測量方法各不相同重要作用。

GB 3389.7-86規(guī)定了壓電陶瓷材料在強交電場作用下介電的測量方法持續向好。標準采用1kHz高壓西林電橋來測量，其測量原理圖如圖4.2-22所示充足，圖中：U為1kHz高壓信號源進展情況；C_x為被測試樣；C_N為標準電容器綠色化發展；R₃,R₄為高頻十進可變電阻箱至關重要；C₄為可變電容箱；G為零值指示器用上了。

圖4.2-22 1kHz高壓西林電橋原理圖

當上圖的電橋達到平衡時提升行動，下式成立

    (4.2-70)

Tanδ=ωC₄R₄                   (4.2-71)

式中，C_X為被測試樣的電容量關註；C_N為標準電容器的電容量研究進展；R₃,R₄為電阻箱的電阻值；C₄為電容箱的電容值連日來；ω為角頻率快速融入。

當tanδ≤0.1時認為，式（4.2-70）可用下式代替

                     (4.2-72)

一般取ω=2πX1000rad/s,R₄=,則有

                   (4.2-73)

Tanδ=C₄X10⁶                   (4.2-74)

根據(jù)式（4.2-73）可得

             (4.2-75)

式中，ε‘為相對自由介電常數(shù)增強；ε₀為真空介電常數(shù)重要意義；t為試樣厚度；A為試樣的電極面積更加廣闊。