高溫四探針測試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫發展需要、真空及惰性氣氛條件下測量硅創新內容、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層舉行、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢？

測量電阻率的方法很多習慣，如三探針法記得牢、電容 -電壓法、擴(kuò)展電阻法等覆蓋，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法服務體系，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測組合四探針法重要的作用。

直排四探針法

經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率特點，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移搶抓機遇，就會(huì)造成實(shí)驗(yàn)誤差綠色化發展。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí)，要求計(jì)入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正結論。

采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)應用創新，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件。

目前雙電測組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：模式（1）足夠的實力，模式（2）慢體驗，模式（3），高溫四探針測試儀采用模式（2）全會精神，通過用計(jì)算機(jī)對三種模式的理論進(jìn)行比較研究的結(jié)果表明：對無窮大被測片三種模式都一樣左右，可是測量小片或大片邊緣位置時(shí)，模式（2）好智能化，它能自動(dòng)消除邊界影響生產製造，略優(yōu)于模式（3），好于模式（1）綜合措施。

那么高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法有哪些優(yōu)勢呢多元化服務體系？

1、采用雙電測組合四探針法進(jìn)行測試攜手共進，測試結(jié)果與探針間距無關(guān)實力增強，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，因此四探針測試臺(tái)允許使用不等距探針頭。

2、采用雙電測組合四探針法具有自動(dòng)修正邊界效應(yīng)的功能全過程，對小尺寸被測片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)，不需要對樣品做幾何測量積極參與，也不必尋找修正因子優勢領先。

3、采用雙電測組合四探針法探討，不移動(dòng)四探針針頭新技術，同時(shí)使用三種模式測量，即可計(jì)算得到測試部位的電阻均勻性共創美好。