高溫四探針測試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫幅度、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料重要的作用、晶片）電阻率和外延層貢獻、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢穩中求進？

測量電阻率的方法很多統籌，如三探針法等多個領域、電容 -電壓法優化服務策略、擴(kuò)展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法應用提升，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測組合四探針法深入各系統。

直排四探針法

經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率解決問題，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移作用，就會造成實(shí)驗(yàn)誤差相互配合。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí)，要求計(jì)入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正著力增加。

采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)智能化，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件。

目前雙電測組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：模式（1）處理，模式（2）建設，模式（3），高溫四探針測試儀采用模式（2）助力各行，通過用計(jì)算機(jī)對三種模式的理論進(jìn)行比較研究的結(jié)果表明：對無窮大被測片三種模式都一樣前來體驗，可是測量小片或大片邊緣位置時(shí)，模式（2）好確定性，它能自動(dòng)消除邊界影響建議，略優(yōu)于模式（3），好于模式（1）相貫通。

那么高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法有哪些優(yōu)勢呢不斷發展？

1、采用雙電測組合四探針法進(jìn)行測試宣講活動，測試結(jié)果與探針間距無關(guān)不斷進步，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭效率。

2規模、采用雙電測組合四探針法具有自動(dòng)修正邊界效應(yīng)的功能，對小尺寸被測片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)講道理，不需要對樣品做幾何測量發展目標奮鬥，也不必尋找修正因子。

3更多的合作機會、采用雙電測組合四探針法延伸，不移動(dòng)四探針針頭，同時(shí)使用三種模式測量服務好，即可計(jì)算得到測試部位的電阻均勻性新趨勢。