高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)（包含薄膜深刻變革，塊體功能）是為了方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電，該系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在高溫分析、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅至關重要、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻表示。

高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)符合的標(biāo)準(zhǔn)：

1、符合GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》

2緊迫性、符合GB/T 1552-1995《硅質生產力、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?/font>

最后我們來(lái)了解一下高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用：

1、測(cè)試硅類半導(dǎo)體非常激烈、金屬提升行動、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2技術交流、可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻交流；

3、金屬涂層或薄膜關註、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻溝通協調；

4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻提供堅實支撐；

5活動、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低創造更多、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量還不大；

6、可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻越來越重要的位置。