電弱點(diǎn)測(cè)試儀設(shè)備工作原理:

    本測(cè)試儀試驗(yàn)電壓是0－20kV交直流電壓，其波動(dòng)為±1%提供有力支撐。測(cè)試儀在試樣弱點(diǎn)擊穿后約0.1s內(nèi)使電壓回升到原來設(shè)定的電壓管理。銅輥為下電極，導(dǎo)電橡膠為上電極越來越重要。薄膜以3m/min的速度移動(dòng)切實把製度。遇弱點(diǎn)時(shí)擊穿，擊穿點(diǎn)自動(dòng)累積計(jì)數(shù)改革創新。膜移動(dòng)以平方數(shù)自動(dòng)計(jì)數(shù)最新。

保護(hù)設(shè)計(jì):  

1. 電源間斷保護(hù)：如果發(fā)生電源間斷，主控電器馬上跳閘自行開發，再次來電時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)復(fù)位模樣。

2. 高壓倉開門跳閘：無論在任何狀態(tài)，只要打開高壓倉門處理方法，將使主控繼電器的線圈失電而跳閘數據顯示。

3. 電源保險(xiǎn)線：當(dāng)機(jī)內(nèi)故障或試品擊穿后電子開關(guān)未能及時(shí)動(dòng)作時(shí)，該熔絲自動(dòng)燒斷服務，切斷電源通過活化。

4. 接地保護(hù)（主機(jī)后外板）：本機(jī)接地可防止機(jī)殼感應(yīng)高壓，保護(hù)設(shè)備和人身等形式。沒有接地不允許通電防控。

   華測(cè)HCRD-300電弱點(diǎn)測(cè)試儀產(chǎn)品的主要特點(diǎn)是能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶的要求而設(shè)定的特點，無須將膜分切成小卷高質量，免除了許多外來因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平著力提升。該系列產(chǎn)品的主要元器件均選用品牌(如歐姆龍指導，建設項目，ABB等)，有效地保證了設(shè)備的可靠性服務品質、耐用性和穩(wěn)定性傳遞。測(cè)量準(zhǔn)確，復(fù)現(xiàn)性好過程。測(cè)試過程采用電子技術(shù)全自動(dòng)控制的發生，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動(dòng)作迅速。擊穿電流在0~40mA連續(xù)可調(diào)進一步完善，復(fù)現(xiàn)性好相結合。本機(jī)具備多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的性影響。如過壓相關性、過流、接地保護(hù)製高點項目，試驗(yàn)平臺(tái)門開啟保護(hù)

   華測(cè)其它相關(guān)產(chǎn)品：

可按用戶要求訂制非標(biāo)產(chǎn)品

華測(cè)儀器--致力于材料電學(xué)測(cè)試技術(shù)