1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng)

針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件聯動、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)共同努力、溫度和氣壓的靈活調(diào)控行業內卷，用于研究電壓類型（交、直流逐漸完善、重復方波電壓）參與能力、波形參數(shù)、氣體種類是目前主流、氣體壓力等因素對絕緣特性充分發揮，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量充分發揮、放電光信號測量選擇適用、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數(shù)：頻率：DC~20kHz設計，電壓：0~20kV薄弱點，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%優化程度，溫度：25℃~150℃積極性，氣壓：真空~3個大氣壓。 

2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)

針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題不斷豐富，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示）實施體系，平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線各有優勢，溫度和壓力分布的能力效果較好，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究快速增長，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究開放以來；平臺相關參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃提供了有力支撐，壓力：0~50kN激發創作。

圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗

3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng)

隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度進一步意見、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)增幅最大。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）生產能力。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試標準，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級堅持好、波形參數(shù)即將展開、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級特性，極限測試能力可達 300 ms傳承，最高壓力達220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C建言直達，導通壓降測量精度達±2mV多種。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試充分發揮。

4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn)

高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段發展成就，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法能力建設，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構設計關註，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%設計標準；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量開展，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示）發揮重要帶動作用，在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量意向，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎上文化價值，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設計（如圖7所示）形式。

5. 研制高壓大功率電力電子器件

面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件研制的需求，開展了芯片建模與篩選不斷完善、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控數字化、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關成果支撐了電網(wǎng)公司能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A基礎上、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的研制各領域，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗應用領域，同時也支撐了世界shouge18kV 壓接型SiC IGBT器件的研制。