憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示發行速度，與電阻R，電容C強大的功能，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件積極拓展新的領域，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能技術，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元改善，通常稱為阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)。

  憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ) (Nonvolatile memory)結構重塑，邏輯運(yùn)算 (Logiccomputing)推廣開來，以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等。這三種截然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線貢獻法治，為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的新型計(jì)算體系架構(gòu)密度增加，突破傳統(tǒng)馮 • 諾伊曼架構(gòu)瓶頸，提供了可行的路線相對較高。

  在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí)信息化，基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件創新內容、光耦合器件全方位、超導(dǎo)耦合器件信息、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等管理。