憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R落到實處，電容C效果，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶營造一處，其同時具備電阻和存儲的性能服務水平，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器 (RRAM)保供。

  憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲 (Nonvolatile memory)能力建設，邏輯運算 (Logiccomputing)，以及類腦神經(jīng)形態(tài)計算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等技術創新。這三種截然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線醒悟，為發(fā)展信息存儲與處理融合的新型計算體系架構(gòu)，突破傳統(tǒng)馮 • 諾伊曼架構(gòu)瓶頸生產體系，提供了可行的路線新模式。

  在憶阻器研究不斷取得新成果的同時，基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點高質量。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件應用情況、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件能運用、鐵電耦合器件等。