在光電子學(xué)及其它高技術(shù)的發(fā)展中構建，薄膜材料占有重要的地位緊密相關。鐵電薄膜具有電光效應(yīng)、非線性光學(xué)效應(yīng)平臺建設、壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等多種特性重要組成部分，又具有便于平面化和集成化的特點(diǎn)，因而特別受到人們的重視⌒录夹g，F(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO₃(PT）、Pb_1-xLaTi_1-x/4 O₃(PLT)基石之一、PZT基礎上、PLZT、LiNbO_3、Bi₄Ti₃O₁₂和BaTiO_{3預下達。}制備方法有電子束蒸鍍增持能力、離子束濺射、射頻磁控濺射創新為先、射頻二極濺射提高鍛煉、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積和金屬有機(jī)熱分解法等。

   為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能行業內卷，希望薄膜是單晶或是晶粒擇優(yōu)取向的多晶進行培訓。迄今報(bào)道的是后者。實(shí)現(xiàn)擇優(yōu)取向的方法主要是采用特定成分和特定取向的單晶作為基片凝聚力量，并選擇適當(dāng)?shù)幕瑴囟然蜉o之以隨后的熱處理關鍵技術。例如，以MgO(100）片作為基片，用射頻磁控濺射制備PbZr_0.4Ti_0.6O₃薄膜有所提升，在適當(dāng)?shù)臏囟认拢墒筟001]軸垂直膜面的取向度達(dá)99%參與能力。MgO（100)片也可使PT和PLT膜具有[001]軸重直膜面的擇優(yōu)取向法治力量。藍(lán)寶石和某些微晶玻璃也是制成擇優(yōu)取向的基片材料。

   鐵電薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能正隨著制備技術(shù)的改進(jìn)而不斷提高新的力量。高度擇優(yōu)取向的薄膜已具有接近優(yōu)質(zhì)體材料的自發(fā)極化和熱釋電系數(shù)技術研究，但矯頑場(chǎng)較大，光的傳播損耗較嚴(yán)重說服力。已經(jīng)和還在研制的器件有熱釋電探測(cè)器的積極性、超聲傳感器、記憶元件深刻變革、光波導(dǎo)高效、聲表面波器件、二次諧波發(fā)生器等至關重要。