半導體電子環(huán)氧塑封料（EMC）的耐電痕無鹵阻燃測試

目前硅基半導體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料（EMC），對其電學性能的測試除了高低溫介電溫譜（介電常數(shù)）效果、常溫高溫電場強度（電擊穿）及常溫高溫絕緣電阻（體積電阻率）測試以外學習，耐電痕無鹵阻燃也是非常重要的電學性能指標之一。

電痕是指電應力和電解雜質在相互作用下會在材料的表面（或內部）產(chǎn)生導電通道改善。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設計對EMC來說十分重要，因為當EMC內部出現(xiàn)未填充區(qū)域或空隙時，不僅會導致其絕緣強度下降推廣開來，還會因為空隙中電荷的集中而產(chǎn)生局部放電空白區，導致EMC性能劣化并對芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標是相比電痕化指數(shù)（CTI）密度增加，按照絕緣材料的CTI指標范圍可將其分為5類應用優勢，只有CTI≥600V的EMC才可應用于功率電子器件的封裝。當然信息化，無論是功率電子器件還是常規(guī)半導體器件發展需要，EMC的無鹵阻燃特性是不變的。

北京華測試驗儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗儀被廣泛應用于半導體全方位、新能源信息、家用電器等行業(yè)，符合GB/T4207管理、IEC60112廣泛關註、IEC60335豐富、UL746A等標準。一體化機身設計顯示，采用10寸觸控屏控制善於監督，智能程度高，可實現(xiàn)試驗過程的無人化操作豐富內涵；鉑金電極和全向可調節(jié)機構配合精準的試驗電壓電流（±1%）使得試驗數(shù)據(jù)更加準確管理。