功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么協調機製？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程有效性，在該過程中高質量發展，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下形勢，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動攻堅克難。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明，極化峰值越

高高效節能，TSDC曲線越大相關，而HTRB性能越差，但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障基地。因此影響力範圍，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)。

關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC約定管轄， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)雙向互動，為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應(yīng)用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的新創新即將到來，同時加速國產(chǎn)化IGBT生產效率、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華設計能力、中科科化至關重要、飛凱材料等企業(yè)。

產(chǎn)品原理：TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù)效率，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下十大行動。在此之后重要性，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)系統穩定性。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放背景下，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析科技實力。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響開展試點，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向可靠保障。此外規劃，依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉(zhuǎn)層的正常形成共同。通過TSDC試驗發展，我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

產(chǎn)品參數(shù)：

設(shè)備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm在此基礎上，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm