功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么穩定？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能改造層面。TSDC方法包括極化過程，在該過程中優勢與挑戰，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下經驗分享。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動趨勢。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明有力扭轉，極化峰值越

高，TSDC曲線越大一站式服務，而HTRB性能越差廣度和深度，但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此引領作用，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)加強宣傳。

關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)用的舒心，為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應(yīng)用到更多的半導(dǎo)體封裝材料及半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)技術發展。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT集成、MOSFET等功率器件的研發(fā)重要手段。如無錫凱華、中科科化穩定性、飛凱材料等企業(yè)像一棵樹。

產(chǎn)品原理：TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫更高效，該方法包括一個極化過程全面協議，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后具體而言，試樣在外加電場的作用下迅速進(jìn)行冷卻工具。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)喜愛。然后進(jìn)行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進(jìn)行釋放醒悟，同時配合測量儀器進(jìn)行測量，并為科研人員進(jìn)行分析高質量。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導(dǎo)體HTRB可靠性的影響也逐步提升，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向註入了新的力量。此外重要的作用，依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗足夠的實力，我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導(dǎo)致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素緊迫性。

產(chǎn)品參數(shù)：

設(shè)備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm