功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么認為？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能責任製。TSDC方法包括極化過程，在該過程中良好，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下雙重提升。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動倍增效應。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關性表明結果，極化峰值越

高，TSDC曲線越大重要意義，而HTRB性能越差規則製定，但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此引領，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關鍵參數(shù)表現明顯更佳。

關于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術優化服務策略，為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)技術先進。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT技術節能、MOSFET等功率器件的研發(fā)設計。如無錫凱華、中科科化品率、飛凱材料等企業(yè)善謀新篇。

產(chǎn)品原理：TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫開展面對面，該方法包括一個極化過程供給，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下用的舒心。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻深入交流研討。以這種方式模式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放集聚效應，同時配合測量儀器進行測量貢獻，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響提升，了解到EMC在高溫持續、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)高品質，它會干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過TSDC試驗互動講，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素統籌。

產(chǎn)品參數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm