一奮戰不懈、離子遷移的物理機制

離子遷移（Ion Migration）是電子器件可靠性失效的關(guān)鍵機理之一，指在電場和濕度協(xié)同作用下：

1. 金屬離子化：電路中的銅（Cu2?）範圍和領域、銀（Ag?）有所增加、錫（Sn2?）等金屬電極發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，生成可移動陽離子

2. 離子定向遷移：陽離子在直流電場驅(qū)動下更高要求，通過絕緣介質(zhì)層向陰極遷移

3. 枝晶形成：遷移至陰極的金屬離子被還原沉積越來越重要的位置，持續(xù)積累形成枝晶結(jié)構(gòu)

4. 絕緣失效：枝晶生長貫穿電極間絕緣層，導(dǎo)致短路或電阻值異常下降

二共同學習、關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域與技術(shù)需求

1. 封裝材料評估

BGA/CSP錫球：監(jiān)測Sn-Ag-Cu焊料離子遷移閾值

底部填充膠：量化環(huán)氧樹脂吸水率與漏電流相關(guān)性

2. 印制電路可靠性

特征案例：0.1mm線距HDI板的CAF測試

測試標(biāo)準(zhǔn)：IPC-TM-650 2.6.25方法C

3. 先進(jìn)顯示器件

EL器件：評估ITO電極遷移對發(fā)光效率的影響

測試參數(shù)：50V/85℃/85%RH三綜合測試1000小時

4. 半導(dǎo)體材料特性

光刻膠介電性能：測量顯后殘留離子濃度

導(dǎo)電膠：碳納米管取向性對離子阻擋能力的影響