有機(jī)鐵電薄膜的制備方法包括溶膠－凝膠法、旋涂法(Spin-Coating)智能設備、分子束外延技術(shù)及Langmuir-Blod-get膜技術(shù)等解決問題。與傳統(tǒng)的無機(jī)材料相比，有機(jī)聚合物材料具有易彎曲奮戰不懈、柔韌性好生產能力、易加工、成本低等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注規定。作為一種的鐵電體可持續，鐵電高分子聚合物的研究主要以聚偏氟乙烯(PolyVinylideneFluoride，PVDF)及其共聚物為代表示範推廣。此外情況，具有鐵電性的聚合物材料還有聚三氟乙烯、聚氨酯和奇數(shù)尼龍等製造業。有機(jī)鐵電材料具有良好的壓電和電致伸縮效應(yīng)發展目標奮鬥、熱電效應(yīng)自動化裝置、光電效應(yīng)、光學(xué)非線性效應(yīng)和介電響應(yīng)規劃，廣泛應(yīng)用于傳感器關規定、探測器、換能器應用前景、非易失性存儲器等電子器件中指導。這里主要介紹以聚偏氟乙烯及其共聚物為代表的鐵電高分子聚合物材料在存儲器中的應(yīng)用。

正如前面提到的兩個角度入手，聚偏氟乙烯及其共聚物是目前研究廣泛的鐵電聚合物關註點。20世紀(jì)60年代末，Kawai發(fā)現(xiàn)聚合物PVDF具有鐵電性進入當下。隨后建強保護，人們對PVDF的微觀結(jié)構(gòu)和功能機(jī)理進(jìn)行了研究，深入了解了這一鐵電聚合物首次。PVDF有幾種不同的構(gòu)型流動性，包括全反式TTTT，順反交替式TG+創新為先，TG－提高鍛煉，TTTG+和TTTG－構(gòu)型統籌推進。這些不同構(gòu)型的分子鏈按照不同的排列方式造成了PVDF不同的晶形行業內卷，其中α，β科普活動，γ和σ相是4種常見的晶形凝聚力量。β相的分子鏈?zhǔn)侨词綐?gòu)型，偶極子按相同方向排列逐漸完善，具有較大的自發(fā)極化強(qiáng)度。α相中的分子鏈呈無極性的排列，偶極矩由于相互抵消整體不顯極性了解情況。γ和σ相具有較弱的極性參與能力。而偏氟乙烯(VinylideneFlu-oride)和三氟乙烯(Trifluoro-Ethylene)的二元共聚物(P(VDF-TrFE))具有比PVDF好的鐵電。這是因?yàn)橛梅〈鷼浜箝L期間，氟原子的直徑略大于氫原子的直徑新的力量，在空間位阻的作用下，全反式的TTTT結(jié)構(gòu)容易形成振奮起來。圖3中展示了不同物質(zhì)的量比的VDF/TrFE共聚物的D-E回線和介電常數(shù)隨溫度的變化建立和完善。VDF物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)為75%的共聚物展現(xiàn)了較好的電滯回線，剩余極化強(qiáng)度和矯頑場分別為100mC/m²和50MV/m增多。鐵電存儲器利用鐵電材料產(chǎn)生的不同方向的剩余極化來存儲信息啟用，基于有機(jī)鐵電聚合物薄膜的電容結(jié)構(gòu)的鐵電存儲器在1995年被提出。用P(VDF-TrFE)鐵電聚合物薄膜制備的鐵電存儲器展現(xiàn)了較好的性質(zhì)，但其自身存在著破壞性讀取的缺點(diǎn)活動上。

針對鐵電存儲器破壞性讀取的缺點(diǎn)達到，研究人員曾經(jīng)探索過一種非破壞性讀取的器件結(jié)構(gòu)。嘗試用鐵電體薄膜替代 MOS 晶體管中的柵介質(zhì)層大型，這樣可以通過柵極電壓改變鐵電體薄膜的極化狀態(tài)實(shí)現(xiàn)對源漏電流的調(diào)制數字技術。根據(jù)源漏電流的相對大小即可讀出存儲信息，不會影響鐵電體薄膜的極化狀態(tài)工具，因此讀取是非破壞性的尤為突出。Yamauchi 在 20 世紀(jì) 80 年代中期提出了把鐵電聚合物薄膜作為柵介質(zhì)層應(yīng)用在場效應(yīng)管中實(shí)現(xiàn)非易失性存儲的想法。由于鐵電聚合物薄膜可以在室溫下制備市場開拓，避免各層物質(zhì)間的相互擴(kuò)散標準，因此有機(jī)鐵電薄膜在鐵電場效應(yīng)管中展現(xiàn)了一定優(yōu)勢，有效避免了無機(jī)鐵電薄膜制備過程中為防止互擴(kuò)散而使用的緩沖層環境。2004 年主要抓手， Schroeder 等人報(bào)道了利用共聚酰胺 Poly ( m-xylylene Adipamide)鐵電聚合物薄膜制備的鐵電場效應(yīng)管，該器件全部由有機(jī)材料構(gòu)成重要的角色。其轉(zhuǎn)移特性曲線表現(xiàn)出了明顯的滯后現(xiàn)象: 在 － 2. 5 V 柵電壓下空間載體，器件高、低電阻態(tài)電阻值比為200要落實好，保持時(shí)間約3 h即將展開。在該器件中，并五苯半導(dǎo)體薄膜是在真空中蒸鍍的相對簡便。2005 年創新科技，Naber 等人通過旋涂法制備了聚合物鐵電場效應(yīng)存儲器。該器件選用P(VDF-TrFE)(65∶35)作為柵介質(zhì)層特性，MEH-PPV (Poly［2- Methoxy-5-(2-Ethyl-Hexyloxy)-p-Phenylene-Vinylene］) 作為半導(dǎo)體層服務機製。作為對比，另一器件選擇無鐵電性的 PTrFE作為柵介質(zhì)層共創輝煌。結(jié)果表明培訓，非鐵電性 PTrFE 薄膜作為柵介質(zhì)層的器 件 無 存 儲 效 應(yīng)，而選用鐵電薄膜 P( VDF- TrFE)作為柵介質(zhì)層的器件展現(xiàn)了優(yōu)異的存儲特性: 0 V柵電壓下國際要求，器件高紮實、低電阻態(tài)電阻值比超過 104 ; 保持時(shí)間超過 7 d; 穩(wěn)定工作 1 000 次以上; 寫入速度和擦除速度分別為 0. 3 ms 和 0. 5 ms。

由于用鐵電薄膜的有機(jī)薄膜場效應(yīng)管存儲器展現(xiàn)了較好的存儲特性技術特點，具有簡單的器件結(jié)構(gòu)的有效手段，因此它們可以直接合成到現(xiàn)今的有機(jī)場效應(yīng)管電路中。下一步需要改進(jìn)的是鐵電薄膜和半導(dǎo)體的接觸界面和提高保持。