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多鐵性材料的介紹

更新時(shí)間:2021-01-06      點(diǎn)擊次數(shù):2383

多鐵性材料指具有2種以上初級(jí)鐵性體特征的材料解決方案,此類(lèi)性質(zhì)包括鐵電性不負眾望、反鐵電性、鐵磁性以及反鐵磁性等交流研討。多鐵性材料的研究是目前材料科學(xué)及凝聚態(tài)物理中的一個(gè)寬廣的新領(lǐng)域推動並實現,蘊(yùn)含著豐富的材料科學(xué)與物理學(xué)研究課題,以及可預(yù)期的廣闊應(yīng)用前景順滑地配合。

鐵電存儲(chǔ)器( FeRAMs)讀寫(xiě)速度快更加完善、集成度高,然而存在破壞性讀取和疲勞等問(wèn)題貢獻法治。磁致電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAMs)的讀取雖是非破壞性的密度增加,但卻有讀取時(shí)間較慢并且磁寫(xiě)入所需功率較大等缺點(diǎn)應用優勢。多鐵性材料的出現(xiàn)為 FeRAMs 和 MRAMs 各自優(yōu)點(diǎn)(低功率的電寫(xiě)入操作和非破壞性的磁讀取操作)的融合提供了契機(jī)。多鐵性材料具有同時(shí)存在的鐵電性和磁性信息化,是一種多功能材料發展需要,提供了同時(shí)用電極化和磁化來(lái)編碼儲(chǔ)存信息的可能性,而且還存在磁性和電性的強(qiáng)耦合全方位,可以實(shí)現(xiàn)磁性和電性的互相調(diào)控信息,如圖 4 所示。

同時(shí)具備鐵電性和鐵磁性的多鐵材料是相當(dāng)稀少的管理,這主要因?yàn)榇蠖鄶?shù)鐵電性的形成是由于陽(yáng)離子偏離晶格中心并且原子 d 軌道沒(méi)有電子填充廣泛關註,而大多數(shù)磁性的形成需要電子部分填充 d 軌道,這兩者的形成機(jī)制有很大區(qū)別。因此為了將鐵電性和鐵磁性融合在同一的單相材料中覆蓋,偏離晶格中心而產(chǎn)生電偶極子的那部分原子必須同導(dǎo)致磁性的原子不同。在理論上存在著不同的合成機(jī)制進展情況,在磁性材料中摻入沒(méi)有 d 軌道電子的元素或者在鐵電材料中摻入具備磁性的元素重要的作用。但在實(shí)際中只有后者才會(huì)被實(shí)現(xiàn)。不同機(jī)制的多鐵材料為今后的研究提供了廣闊的空間研究。一種多鐵材料的構(gòu)建原理是具備磁性的鈣鈦礦氧化物(ABO3 型)搶抓機遇,A 位原子提供弧對(duì)電子對(duì)并產(chǎn)生鐵電性,而 B 位則由具備磁性的陽(yáng)離子構(gòu)成去創新。目前為止這種機(jī)制典型的單相材 料是鐵酸鉍(BiFeO3 )結論,如圖 5 所示,是一種以 Bi 為基礎(chǔ)的多鐵材料體系。第二種方法是依靠特殊的幾何結(jié)構(gòu)使鐵電性和磁性共存足夠的實力,如 YMnO3 和 BaNiF4 都是這類(lèi)材料。近TbMnO3 也引起了人們的關(guān)注提高,TbMnO3 具有低對(duì)稱 性的磁性基態(tài)和反演對(duì)稱性差的特點(diǎn)全會精神,這就導(dǎo)致了其電極化很小,但是由于可以直接通過(guò)磁序控制其電序又進了一步,所以這種材料可能有著很強(qiáng)的磁電耦合系數(shù)智能化。同 TbM- nO3 相反的一種多鐵機(jī)制也在研究中,這種機(jī)制的原理是在鐵電材料中通過(guò)降低晶格畸變的不對(duì)稱性來(lái)獲得微弱的鐵磁性拓展基地。后在磁性材料中綜合措施,非中心對(duì)稱的電荷有序排列也會(huì)產(chǎn)生鐵電性,如 LuFe2O4處理。有一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題需要我們?cè)谶@里指出攜手共進,鐵電材料必然有著很好的絕緣性,否則能夠移動(dòng)的電荷會(huì)使電極化消失自然條件,然而很多鐵磁材料是含有金屬的擴大公共數據,并且絕大部分磁性絕緣體只具備反鐵磁序。這樣材料的絕緣性也會(huì)帶來(lái)很多的問(wèn)題,例如對(duì)于部分漏電的多鐵材料設計標準,即使有著非中心對(duì)稱的結(jié)構(gòu)深度,還是會(huì)因?yàn)橐苿?dòng)的電子而抑制了自身的鐵電性。

盡管迄今為止對(duì)于鐵電性和磁性的研究都集中于凝聚態(tài)物理范疇和相關(guān)材料經過,在基礎(chǔ)物理和技術(shù)應(yīng)用上仍存在大量問(wèn)題帶來全新智能。需要觀注的主要問(wèn)題有 2 個(gè)方面:一是合成電偶極子同磁性自旋序共存于一身的材料;第二是充分認(rèn)識(shí)在多鐵材料中電和磁之間的耦合效率尤為重要,這是實(shí)現(xiàn)多鐵控制的基礎(chǔ)培養。

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