雙電橋法是目前測(cè)量金屬電阻應(yīng)用廣泛的一種方法應用的因素之一。

它用于測(cè)量小電阻（10^-2~10^-6Ω）基礎。圖4.2-6繪出了雙電橋電路圖。和單電橋相比看出奮勇向前，分路ABC中串聯(lián)了兩個(gè)高電阻R₁和R₂不容忽視，這和單電橋相同。所不同處是：被測(cè)電阻R_x和標(biāo)準(zhǔn)電阻R_N之間加人另一個(gè)并聯(lián)支路EDF記得牢，其中串聯(lián)了兩個(gè)大電阻R3和R4組建，并將檢流計(jì)的一個(gè)接點(diǎn)連接在R₃和R₄之間的D點(diǎn)。電橋平衡是通過調(diào)節(jié)四個(gè)高電阻R₁服務體系、R₂進展情況、R₃和R₄來實(shí)現(xiàn)的。在電橋設(shè)計(jì)上特點，每個(gè)高電阻通常大于50Ω研究，且R₁=R₃，R₂=R₄,并還需要在結(jié)構(gòu)上保持R₁與R₃成聯(lián)動(dòng)綠色化發展，R₂與R₄成聯(lián)動(dòng)去創新。同時(shí)要使連接R_x與R_N之間的導(dǎo)線EF的電阻盡可能地小。如此就可使電橋中的分路電流I₁和I₂很小應用創新，而I₃相對(duì)大得多體系。測(cè)量時(shí)調(diào)節(jié)可變電阻，使檢流計(jì)中無電流通過和諧共生，即在電橋達(dá)到平衡時(shí)可以導(dǎo)出

根據(jù)上式提高，R₁、R₂和R_N為已知用上了，即可求出被測(cè)電阻R_X值結構。為提高被測(cè)電阻值的精que度適應性強，測(cè)量時(shí)盡可能使R₁R₂之比接近于1，R_N接近R_x競爭力所在。

圖4.2-6 雙電橋測(cè)量原理示意圖

從上述電路原理能力建設，可以分析出雙電橋法的兩個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)：附加電阻的影響很小以及能靈敏地反映被測(cè)電阻微小的變化。在圖示電流方向的情況下先進的解決方案，在分電路EDF中攜手共進，D點(diǎn)被l₂R₃+I₂R_o（R_o為附加電阻）所決定，由于I₂很小自然條件，R_o<R₃擴大公共數據，因此ED線路中的導(dǎo)線電阻與接線柱間的接觸電阻對(duì)D點(diǎn)影響很小。在改變電流流動(dòng)方向時(shí)體系流動性，DF線路中附加電阻的影響很小設計標準。同理，在ABC分路中優勢領先，由于I₁很小經驗分享，附加電阻對(duì)B點(diǎn)的影響很小，所以雙電橋中附加電阻對(duì)測(cè)量的影響可以忽略不計(jì)新技術。由于R_x小培養，EF中的電阻極小，所以流經(jīng)被測(cè)電阻R_x（AE）的I₃和I₁趨勢、I₂相比要大得多高效流通，于是R_x有一個(gè)微小的變化，即能顯著地影響B點(diǎn)和D點(diǎn)的電位，從而使雙電橋能精que地測(cè)出試樣電阻值的變化有力扭轉。操作足夠熟練時(shí)，在雙電橋上能以0.2%~0.3%的精que度測(cè)量大小為10^-4~10^-3Ω左右的電阻深入。