鐵電參數(shù)測(cè)試功能

Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率

Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試形勢；

PUND 脈沖測(cè)試；

Fatigue 疲勞測(cè)試機遇與挑戰；

Retention保持力高效節能；

Imprint印跡；

Leakage current漏電流測(cè)試取得明顯成效；

Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能服務。

壓電參數(shù)測(cè)試功能

可進(jìn)行壓電陶瓷的準(zhǔn)靜態(tài)d33等參數(shù)測(cè)試，也可通過(guò)高壓放大器與位移傳感器（如激光干涉儀）動(dòng)態(tài)法測(cè)量壓電系數(shù)測(cè)量相互融合。

熱釋電測(cè)試功能

主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量材料的熱釋電電流生動、熱釋電系數(shù)提單產、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線(xiàn)。

薄膜材料變溫范圍：-196℃到+600℃蓬勃發展；

塊體材料變溫范圍：室溫到200℃作用、室溫到600℃、室溫到800℃

介電溫譜測(cè)試功能

用于分析寬頻問題、高低溫環(huán)境條件下功能材料的阻抗Z應用的選擇、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G逐漸顯現、電納B、電感L重要性、介電損耗D著力增加、因數(shù)Q等物理量，同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度系統穩定性、頻率背景下、時(shí)間、偏壓變化的曲線(xiàn)科技實力。也可進(jìn)行壓電陶瓷的居里溫度測(cè)試開展試點。

熱激發(fā)極化電流測(cè)試儀 TSDC

  用于研究材功材料的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫可靠保障、相轉(zhuǎn)變規劃、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間具有重要意義、活化能等相關(guān)的介電特性前景。

絕緣電阻測(cè)試功能

高精zhun度的電壓輸出與電流測(cè)量，保障測(cè)試的，適用于功能材料在高溫環(huán)境材料的數(shù)據(jù)的檢測(cè)進一步。例如：陶瓷材料宣講手段、硅橡膠測(cè)試、PCB發行速度、云母極致用戶體驗、四氟材料電阻測(cè)試、也可做為科研院所新材料的高溫絕緣電阻的測(cè)試積極拓展新的領域。

高溫四探針測(cè)試功能

符合功能材料導(dǎo)體充分發揮、半導(dǎo)體材料與其它新材料在高溫環(huán)境下測(cè)試多樣化的需求。雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線(xiàn)或方形四探針雙位測(cè)量應用。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)解決方案。也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)研究等用途。

塞貝克系數(shù)/電阻測(cè)量系統(tǒng)

適用于半導(dǎo)體推廣開來，陶瓷材料空白區，金屬材料等多種材料的多種熱電分析；可根據(jù)用戶(hù)需求配置薄膜測(cè)量選件密度增加，低溫選件溫度范圍-100℃到200℃應用優勢，高阻選件高至10MΩ。

電卡效應(yīng)測(cè)試功能

還可以用于測(cè)試材料在寬溫度范圍內(nèi)的電卡信息化。

溫度范圍：-50℃到200℃發展需要、熱流時(shí)間范圍：1s-1000s，大電壓可達(dá)10kV全方位，

波形：用戶(hù)自定信息、脈沖、三角波管理、正弦波力量、任意波形、預(yù)定義波形。

用戶(hù)可根據(jù)不同的需要方式之一，選擇不同的配置。