電容量隨溫度變化而變化,是由于介質(zhì)的介電常數(shù)和幾何尺寸隨溫度而變化精準調控。對于裝置瓷和Ⅰ型電容器瓷用電容溫度系數(shù)表示這種變化效高,對于Ⅱ型和川型電容器瓷則采用電容溫度變化率表示。
溫度t時的電容溫度系數(shù)αC為:
αC=(1/C)*(dc/dt)
在一定溫度范圍內(nèi)優化程度,c與t的關(guān)系可視為直線時廣度和深度,則上式寫成:
αC=(1/C1)*(△c/△t)
式中:△c=c2-c1,△t=t2-t1
C2、c1為溫度t2基礎、t1時的電容量
介電常數(shù)隨溫度的變化用介電常數(shù)的溫度系數(shù)表示日漸深入。溫度t時介電常數(shù)的溫度系數(shù)αε。
αε=(1/ε)*(dε/dt)
在一定溫度范圍內(nèi)引領作用,ε與t的關(guān)系可視為直線時預期,則上式寫成:
αε=(1/ε1)*(△ε/△t)
式中:△ε=ε2-ε1,△t=t2-t1
ε2、ε1為溫度t2加強宣傳、t1時的電容量。
介電常數(shù)隨溫度的變化用αε表示對外開放,幾何尺寸的變化用膨脹系數(shù)αⅠ豐富內涵,表示,電容溫度系數(shù)αC效率和安。應(yīng)是αε和αⅠ就能壓製,的函數(shù)。即:
α產能提升。=αε+αⅠ說明電子陶瓷的電容溫度系數(shù)取決于介電常數(shù)的溫度系數(shù)和線膨脹系數(shù)發揮,由于線膨脹系數(shù)較小,一般認為αC≌αⅠ適應能力。
電容溫度系數(shù)的測量采用電容溫度系數(shù)測試儀設施。
電容量隨溫度變化而變化,是由于介質(zhì)的介電常數(shù)和幾何尺寸隨溫度而變化快速增長。對于裝置瓷和Ⅰ型電容器瓷用電容溫度系數(shù)表示這種變化要求,對于Ⅱ型和川型電容器瓷則采用電容溫度變化率表示。
溫度t時的電容溫度系數(shù)αC為:
αC=(1/C)*(dc/dt)
在一定溫度范圍內(nèi)通過活化,c與t的關(guān)系可視為直線時開放以來,則上式寫成:
αC=(1/C1)*(△c/△t)
式中:△c=c2-c1,△t=t2-t1
C2、c1為溫度t2、t1時的電容量
介電常數(shù)隨溫度的變化用介電常數(shù)的溫度系數(shù)表示能力建設。溫度t時介電常數(shù)的溫度系數(shù)αε高效。
αε=(1/ε)*(dε/dt)
在一定溫度范圍內(nèi),ε與t的關(guān)系可視為直線時基礎,則上式寫成:
αε=(1/ε1)*(△ε/△t)
式中:△ε=ε2-ε1領域,△t=t2-t1
ε2、ε1為溫度t2要素配置改革、t1時的電容量。
介電常數(shù)隨溫度的變化用αε表示,幾何尺寸的變化用膨脹系數(shù)αⅠ無障礙,表示深度,電容溫度系數(shù)αC。應(yīng)是αε和αⅠ經過,的函數(shù)帶來全新智能。即:
α。=αε+αⅠ說明電子陶瓷的電容溫度系數(shù)取決于介電常數(shù)的溫度系數(shù)和線膨脹系數(shù)核心技術體系,由于線膨脹系數(shù)較小自主研發,一般認為αC≌αⅠ。
電容溫度系數(shù)的測量采用電容溫度系數(shù)測試儀新產品。
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