Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)主要用于研究介電儲能材料高電壓放電性能深入各系統。目前常規(guī)的方法是通過電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度大型,測試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上進一步推進,而不是釋放到負(fù)載上不可缺少,通過電滯回線測得的儲能密度一般會大于樣品實(shí)際釋放的能量密度,無法正確評估電介質(zhì)材料的正常放電性能明確相關要求。華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計(jì)的電容放電電路來測量服務為一體,測試電路如下圖所示。在該電路中的發生,首先將介電膜充電到給定電壓融合,之后通過閉合高速M(fèi)OS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計(jì)開發(fā)相結合,更符合電介質(zhì)充放電原理提升。
典型的測試電路
華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專門設(shè)計(jì)的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示相關性。在該電路中競爭力,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān)的必然要求,存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的過程中。在放電過程中電壓對樣品的時(shí)間依賴性可以通過檢波器進(jìn)行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度發展基礎,可通過改變負(fù)載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)延伸。通常測試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中要求,用戶需要選擇電阻器或幾個(gè)電阻器的組合獲得所需的電阻,并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質(zhì)材料認為。在該電路中運行好,選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲存的能量非常重要國際要求。該開關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓。本套測試系統(tǒng)由放電采集電路同期、高壓放大器或高壓直流電源和控制計(jì)算機(jī)構(gòu)成新趨勢。在測試中,測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度鍛造,測試樣品上的電壓可以由計(jì)算機(jī)自動(dòng)獲得新體系。
利用放電電路進(jìn)行測試
與P-E回滯測量類似,在放電測試之前共謀發展,應(yīng)在介電材料的表面制備導(dǎo)電電極搖籃,還應(yīng)測量可用于估計(jì)測試的放電速度的弱場介電特性。因?yàn)樵跍y試中經(jīng)常涉及幾千伏的高電壓創造,所以介電材料通常浸入硅油中使用。測試者應(yīng)該確定他們感興趣的放電速度。放電速度可以通過樣品的低場電容C和負(fù)載電阻RL(RLC常數(shù))粗略計(jì)算。一旦確定了期望的放電速度能力建設,就可以選擇負(fù)載電阻器并將其連接到測試樣品,然后將充電電壓施加到介電材料技術創新。一旦樣品全部充電醒悟,然后通過按下電路盒上的放電按鈕關(guān)閉高速開關(guān),將儲存的能量釋放到負(fù)載電阻器生產體系,電阻器上電壓的時(shí)間依賴性就可由計(jì)算機(jī)自動(dòng)記錄高效利用。
在此將以P(VDF-TrFE-CFE)三元共聚物(63/37/7.5)作為示例材料,來演示如何解釋放電結(jié)果去突破。使用上圖所示的電路品質,表征三元共聚物對負(fù)載電阻器的放電行為。使用時(shí)間相關(guān)的電壓數(shù)據(jù)公式,可以計(jì)算放電能量密度的時(shí)間依賴性能運用。圖中顯示了三元共聚物中不同充電電場的1MΩ負(fù)載的放電能量密度隨時(shí)間的變化⑴c水平?偡烹娔芰棵芏扰c從單極P-E回路推導(dǎo)出的能量密度相當(dāng)講理論。這里使用薄膜樣品的電容在1kHz下測量為約1nF再獲。對幾種三元共聚物膜樣品進(jìn)行表征發(fā)現(xiàn)用的舒心,由于極化響應(yīng)的非線性和頻率依賴性集成應用,三元共聚物的放電特性不能簡單地通過RC常數(shù)來描述更高效,其中R是電阻(R=RL+ESR)假設(shè)電容器電容不隨頻率持續向好、電場和RC電路和RC電路的時(shí)間常數(shù)(τ=RLC+ESRXC)變化更合理,如果RL>ESR一站式服務,可以忽略ESRXC,道路,則放電能量密度與時(shí)間的關(guān)系如下: Uc(1)=UD(1-e-(21/t)) 式中作用,UD為放電能量重要意義。
為了便于比較問題,使用1nF的電容和1MΩ的負(fù)載電阻,利用公式來估算能量放電時(shí)間效率。70%能量釋放所需理論放電時(shí)間為0.6ms,50%能量釋放所需理論放電時(shí)間為0.35ms。而實(shí)驗(yàn)中十大行動,這兩種能量釋放所需放電時(shí)間分別為0.66ms和0.3ms重要性。估計(jì)值和測量值之間的差異反映了非線性[有效介電常數(shù)在高場(>100MV/m)變小]和介電響應(yīng)的頻率依賴性(介電常數(shù)在更高頻率或更短放電時(shí)間下變得更畜w系。┫到y穩定性。此外,ESR在高頻(或短放電時(shí)間)下很小應用前景,并且在放電后時(shí)間變
長指導。
對于相同的三元共聚物薄膜電容器,其他負(fù)載電阻((RLL分別為100kΩ和1kΩ)下放電能量密度如圖所示兩個角度入手。正如預(yù)期的那樣關註點,減小的RL會縮短放電時(shí)間。然而進入當下,仔細(xì)檢查實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)建強保護,放電時(shí)間的減少與RL的減少不成比例。
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