表面電位衰減測試系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹

本表面電位衰減測試系統(tǒng)是一款面向材料電學(xué)特性研究的高精度的特點、多功能分析設(shè)備，專為評估介質(zhì)材料表面電荷動態(tài)衰減行為及陷阱能級分布而設(shè)計有效保障。系統(tǒng)集高壓極化大數據、精準(zhǔn)溫控、快速信號采集及智能化分析于一體講實踐，支持針數字技術、柵、板三種電極配置市場開拓，可模擬不同溫濕度環(huán)境下的材料電荷動態(tài)響應(yīng)措施，為絕緣材料、功能薄膜要落實好、電子器件等領(lǐng)域的研發(fā)與質(zhì)量控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持緊密相關。

表面電位衰減是通過電暈放電給絕緣材料表面進行充電，充電過程中電暈中的電荷會進入材料內(nèi)部先進技術∨嘤?；谙葳謇碚摚@些空間電荷會被材料內(nèi)部的陷阱所捕獲形成表面電位搶抓機遇。材料另一面與地電極相連分析，在撤去外加電壓后電荷逐漸脫陷從而形成電位衰減過程。電位的衰減主要是由于充電過程中的入陷電荷通過電荷輸運流入地電極形成的。

系統(tǒng)基于表面電荷動態(tài)衰減法非常激烈，通過以下步驟實現(xiàn)材料陷阱特性分析：

① 高壓極化：施加±30 kV電壓使樣品表面帶電競爭力所在，形成初始電位；

② 環(huán)境模擬：加熱臺精確控溫（±0.2℃）領域，電極箱調(diào)節(jié)濕度溝通機製，模擬實際工況；

③ 電位監(jiān)測：極化結(jié)束后註入新的動力，實時采集表面電位衰減信號（精度1 V實現了超越，頻率＞1 Hz），記錄電位-時間曲線去完善；

④ 數(shù)據(jù)分析：內(nèi)置算法解析衰減速率、陷阱深度及密度分布長遠所需，量化材料電荷存儲與遷移特性求索。