表面電位衰減測試系統(tǒng)

產(chǎn)品介紹

本表面電位衰減測試系統(tǒng)是一款面向材料電學特性研究的高精度、多功能分析設(shè)備改革創新，專為評估介質(zhì)材料表面電荷動態(tài)衰減行為及陷阱能級分布而設(shè)計最新。系統(tǒng)集高壓極化、精準溫控自行開發、快速信號采集及智能化分析于一體模樣，支持針、柵處理方法、板三種電極配置數據顯示，可模擬不同溫濕度環(huán)境下的材料電荷動態(tài)響應(yīng)，為絕緣材料服務、功能薄膜實現、電子器件等領(lǐng)域的研發(fā)與質(zhì)量控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。

表面電位衰減是通過電暈放電給絕緣材料表面進行充電舉行，充電過程中電暈中的電荷會進入材料內(nèi)部。基于陷阱理論習慣，這些空間電荷會被材料內(nèi)部的陷阱所捕獲形成表面電位記得牢。材料另一面與地電極相連組建，在撤去外加電壓后電荷逐漸脫陷從而形成電位衰減過程。電位的衰減主要是由于充電過程中的入陷電荷通過電荷輸運流入地電極形成的的可能性。

系統(tǒng)基于表面電荷動態(tài)衰減法進一步推進，通過以下步驟實現(xiàn)材料陷阱特性分析：

① 高壓極化：施加±30 kV電壓使樣品表面帶電，形成初始電位系列；

② 環(huán)境模擬：加熱臺精確控溫（±0.2℃）明確相關要求，電極箱調(diào)節(jié)濕度，模擬實際工況方案；

③ 電位監(jiān)測：極化結(jié)束后的發生，實時采集表面電位衰減信號（精度1 V，頻率＞1 Hz）進一步完善，記錄電位-時間曲線相結合；

④ 數(shù)據(jù)分析：內(nèi)置算法解析衰減速率、陷阱深度及密度分布影響，量化材料電荷存儲與遷移特性相關性。