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國標(biāo)設(shè)備

電壓擊穿測試儀耐電弧試驗儀高壓新的力量、低壓漏電起痕表面體積電阻率（高阻計）電弱點試驗儀 50點耐壓測試儀

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HCDJC-100KV陶瓷電壓擊穿試驗儀優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)

更新時間：2025-04-07

型號：HCDJC-100KV

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陶瓷電壓擊穿試驗儀優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)主要適用于固體絕緣材料如：塑料分享、薄膜現場、樹脂、云母開展研究、陶瓷高質量、玻璃、絕緣油至關重要、絕緣漆質量、紙板等介質(zhì)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸姸群湍碗妷簳r間的測試。
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HCDJC-100KV塑料薄膜電壓擊穿試驗儀優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)

更新時間：2025-04-07

型號：HCDJC-100KV

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HCDJC-100KV固體絕緣材料電壓擊穿試驗機優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)

更新時間：2025-04-07

型號：HCDJC-100KV

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固體絕緣材料電壓擊穿試驗機優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)滿足GB1408.1-2006《絕緣材料電氣強度試驗方法　第1部分交流；工頻下試驗》、GB/T1695-2005《硫化橡膠工頻擊穿電壓強度和耐電壓的測定方法》關註、GB/T 3333-1999《電纜紙工頻擊穿電壓試驗方法》溝通協調、GB/T 12656-1990《電容器紙工頻擊穿電壓測定法》拓展、GB/T1981及ASTM D149標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)計制造。
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HCLD-III電痕化高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器

更新時間：2024-06-05

型號：HCLD-III

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電痕化高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器是在固體絕緣材料表面上活動，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評價固體絕緣材料表面在電場和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力還不大，測定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）好宣講。
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HCLD-III固體絕緣材料高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器

更新時間：2024-06-05

型號：HCLD-III

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固體絕緣材料高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間保障性，施加某一電壓并定時（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL）服務機製，用以評價固體絕緣材料表面在電場和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）共創輝煌。
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HCLD-III工程塑料高壓漏電起痕試驗裝置測試儀

更新時間：2024-06-05

型號：HCLD-III

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HCDH-200工程塑料高壓漏電起痕試驗裝置測試儀是在固體絕緣材料表面上培訓，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL）推動並實現，用以評價固體絕緣材料表面在電場和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器

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型號：HCLD-III

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HCDH-200反應(yīng)快反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器是在固體絕緣材料表面上更加完善，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間薄弱點，施加某一電壓并定時（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評價固體絕緣材料表面在電場和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力精準調控，測定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）效高。
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HCLD-III電工電直子高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器

更新時間：2024-06-05

型號：HCLD-III

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HCDH-200電工電直子高壓漏電起痕試驗裝置測試儀器是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間優化程度，施加某一電壓并定時（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL）廣度和深度，用以評價固體絕緣材料表面在電場和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）基礎。
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