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鐵電壓電分析儀對外開放,薄膜陶瓷測(cè)試

簡(jiǎn)要描述:鐵電壓電分析儀互動式宣講,薄膜陶瓷測(cè)試-行業(yè)專用儀器內(nèi)置完整的工控計(jì)算機(jī)主機(jī)、測(cè)試版路用的舒心、運(yùn)算放大器結構、數(shù)據(jù)處理單元等,包括工控計(jì)算機(jī)主板模式、CPU(i3或以上)效果較好、RAM(8G或以上)、固態(tài)硬盤(250G或以上)適應能力、網(wǎng)卡設施、USB接口節點、VGA接口快速增長、預(yù)裝Windows7操作系統(tǒng)、功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試軟件等。

  • 產(chǎn)品型號(hào):Huace FE-3000
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-07-24
  • 訪  問  量:2252

詳細(xì)介紹

品牌HUACE/北京華測(cè)產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)

HuaceFE-3000是一款擴(kuò)展性高速型模塊化鐵電壓電分析儀研究進展,薄膜陶瓷測(cè)試,具備鐵電、壓電溝通機製、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能無障礙,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用,可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜宣講活動、厚膜高產、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究快速融入。

模塊化設(shè)計(jì)的HuaceFE-3000具有優(yōu)異的擴(kuò)展性帶動產業發展。


FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試;

MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試力度;

RX模塊-弛豫電流測(cè)試新產品;

DR模塊-自放電測(cè)試。
鐵電壓電分析儀持續發展,薄膜陶瓷測(cè)試測(cè)試基本單元:包括內(nèi)置完整的專用計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路更加廣闊、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等合作,Windows 7 操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專用測(cè)試軟件等。

FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能:

Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率(增強(qiáng)型FE模塊250kHz勇探新路,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz)長遠所需;

Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測(cè)試;

PUND 脈沖測(cè)試擴大;

Fatigue 疲勞測(cè)試非常完善;

Retention 保持力;

Imprint 印跡讓人糾結;

Leakage current漏電流測(cè)試不斷完善;

Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。


FE模塊可選測(cè)試功能:

C-V curve電容-電壓曲線全面革新;

Piezo Measurement壓電測(cè)試勞動精神;

Pyroelectric Measurement熱釋電測(cè)試;

In-situ Compensation 原位補(bǔ)償同時;

DLCC 動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能實施體系;

Impedance Measurement 阻抗測(cè)試


技術(shù)說明:


電壓范圍: +/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV);

電滯頻率:增強(qiáng)型FE模塊250kHz幅度,高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz技術創新;

最小脈沖寬度:50ns;

最小上升時(shí)間:10ns各有優勢;

最大疲勞頻率:16MHz技術發展;

電流放大范圍:1pA~1A更合理;

最大負(fù)荷電容:1nF;

輸出電流峰值:+/-1 A適應性。



可擴(kuò)展部件:

  高壓放大器顯著、激光干涉儀、AFM更優美、溫度控制器需求、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒更為一致、塊體變溫爐各方面、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體落地生根、PPMS占、阻抗分析儀等。

鐵電壓電分析儀成效與經驗,薄膜陶瓷測(cè)試


MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的更讓我明白了。
此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試,樣品上的電壓降通過精度高的四點(diǎn)測(cè)試提供了有力支撐。


RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的飛躍,即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開積極,并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流大數據。


DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。

由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況經驗,因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。


針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用,TF Analyzer 3000提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道不斷進步,大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能信息化技術。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。
















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