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華測(cè)介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:華測(cè)介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能競爭力。采用特殊高壓開(kāi)關(guān)製高點項目,通過(guò)單刀雙擲控制充電和放電過(guò)程,開(kāi)關(guān)可以承受10kV高壓的過程中,寄生電容小物聯與互聯,動(dòng)作時(shí)間短。

  • 產(chǎn)品型號(hào):Huace-DCS10KV
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-01-14
  • 訪  問(wèn)  量:1828

詳細(xì)介紹

品牌HUACE/北京華測(cè)



華測(cè)介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)

Huace-DCS10KV


華測(cè)介電儲(chǔ)能材料電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹:

Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能取得了一定進展。目前常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上認為,而不是釋放到負(fù)載上,通過(guò)電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的能量密度國際要求,無(wú)法正確評(píng)估電介質(zhì)材料的正常放電性能紮實。華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量,測(cè)試電路如下圖所示新趨勢。在該電路中可能性更大,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過(guò)閉合高速M(fèi)OS高壓開(kāi)關(guān),存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載的原理設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)使命責任,更符合電介質(zhì)充放電原理共謀發展。


主要參數(shù):

1、電流探頭帶寬:120MHz持續創新;

2創造、峰值電流:0-100A150 A(多種電流可監(jiān)測(cè))分析;

3、電流采集精度:1mA

4合規意識、高壓源模塊:3KV聽得懂,5KV10kV協調機製,15KV多可選(電流:0-5mA)設備製造;

5、開(kāi)關(guān)適用:100萬(wàn)次高質量發展,耐壓15kV高質量;

6、溫控范圍:0-200℃提供了遵循;

7、溫度穩(wěn)定性和精度:0.1℃;

8利用好、測(cè)試樣品:薄膜參與水平,厚膜,陶瓷有望,玻璃等智能設備;

9、可以配合各種極化設(shè)備進(jìn)行多種壓電材料和介電材料的測(cè)試服務效率。


產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1不要畏懼、本系統(tǒng)采用特殊高壓開(kāi)關(guān),通過(guò)單刀雙擲控制充電和放電過(guò)程蓬勃發展,開(kāi)關(guān)可以承受10kV高壓作用,寄生電容小,動(dòng)作時(shí)間短問題;

2應用的選擇、電壓10kV,電流5mA;

3逐漸顯現、可外接高壓放大器或高壓直流電源十大行動;

4、通過(guò)電流探頭檢測(cè)放電電流著力增加,可達(dá)100A體系;

5、可以實(shí)現(xiàn)欠阻尼和過(guò)阻尼兩種測(cè)試模式背景下,欠阻尼測(cè)試時(shí)多種場景,放電回路短路,不使用電阻負(fù)載服務延伸,過(guò)阻尼測(cè)試時(shí)先進技術,使用較大的高精度無(wú)感電阻作為放電負(fù)載;

6貢獻力量、可以作為一個(gè)信號(hào)源,產(chǎn)生任意波形具有重要意義;

7服務好、通過(guò)示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計(jì)算儲(chǔ)能密度流動性;

8效高化、定制載樣平臺(tái),可適用于陶瓷和薄膜樣品測(cè)試反應能力;

9部署安排、可以進(jìn)行變溫測(cè)試,RT~200℃投入力度;

10效果、可以進(jìn)行疲勞測(cè)試;

11技術、還可用于極化材料之用改善。


儲(chǔ)能電介電放電行為:

華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的電容放電電路來(lái)測(cè)量。在該電路中結構重塑,首先將介電膜充電到給定電壓推廣開來,之后通過(guò)閉合高速MOS高壓開(kāi)關(guān),存儲(chǔ)在電容器膜中的能量被放電到電阻器負(fù)載貢獻法治。在放電過(guò)程中電壓對(duì)樣品的時(shí)間依賴(lài)性可以通過(guò)檢波器進(jìn)行記錄密度增加。介電材料的儲(chǔ)能性能通常取決于放電速度,可通過(guò)改變負(fù)載電阻器的電阻來(lái)調(diào)節(jié)相對較高。通常測(cè)試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器信息化。在測(cè)試過(guò)程中,用戶(hù)需要選擇電阻器或幾個(gè)電阻器的組合獲得得所需的電阻現場,并將電阻器或電阻的組合連接到測(cè)試的電介質(zhì)材料便利性。在該電路中開展研究,選擇高壓MOSFET開(kāi)關(guān)以釋放儲(chǔ)存的能量非常重要。該開(kāi)關(guān)限制電路的最大放電速度和最大充電電壓信息化。本套測(cè)試系統(tǒng)由放電采集電路力量、高壓放大器或高壓直流電源和控制計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在測(cè)試中,測(cè)試人員需要通過(guò)選擇合適的電阻來(lái)確定測(cè)量的放電速度方式之一,測(cè)試樣品上的電壓可以由計(jì)算機(jī)自動(dòng)獲得。






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