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半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

簡要描述:半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術用于預測EMC的HTRB性能提單產。TSDC方法包括極化過程,在該過程中綠色化,電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下設計。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動問題。

  • 產品型號:HC-TSC
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-12-23
  • 訪  問  量:555

詳細介紹

品牌HUACE/北京華測應用領域化工,能源,電子/電池,汽車及零部件,綜合


半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


產品介紹:


 研究前景:

環(huán)氧塑封料(EMC逐漸顯現, Epoxy Molding Compound)是用于半導體封裝的一種熱固性化學材料堅持好,是由環(huán)氧樹脂為基體 樹脂,以高性能酚醛樹脂為固化劑高質量,加入硅微粉等為填料構建,以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料,為后道封裝的主要原材料之一大幅增加,目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件平臺建設。環(huán)氧塑封料具有保護芯片不受外界環(huán)境的影響,抵抗外部溶劑服務延伸、濕氣先進技術、沖擊,保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能貢獻力量。環(huán)氧塑封料對高功率半導體器件的高溫反向偏壓(HTRB)性能有重要控制作用合作。


 產品概述:

熱刺激去極化電流(TSDC)技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程前景,在該過程中,電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下進一步,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動宣講手段。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關性表明,極化峰值越

高發行速度,TSDC曲線越大極致用戶體驗,而HTRB性能越差,但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障積極拓展新的領域。因此充分發揮,弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關鍵參數(shù)。

關于環(huán)氧塑封料(EMC應用, Epoxy Molding Compound)TSDC測試技術解決方案,為華測公司在國內最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的動力,同時加速國產化IGBT不斷豐富、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華長期間、中科科化新的力量、飛凱材料等企業(yè)。


 應用場景:

材料研發(fā)與性能評估:介電材料研究是目前主流、絕緣材料評估分享、半導體材料分析;電子元器件與封裝技術:元器件可靠性測試便利性、封裝材料選擇開展研究、封裝工藝優(yōu)化高質量;電力與能源領域:電力設備絕緣監(jiān)測、儲能材料研究力量;其他領域:生物分子材料研究可靠、環(huán)境監(jiān)測與保護;半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)在材料研發(fā)方式之一、電子元器件與封裝技術我有所應、電力與能源領域以及其他多個領域都具有廣泛的應用前景。隨著技術的不斷發(fā)展首要任務,TSDC測試系統(tǒng)將在更多領域發(fā)揮重要作用管理。


產品原理:

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術,用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫深入實施,該方法包括一個極化過程應用提升,其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后業務指導,試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻新品技。以這種方式,電荷被分離并固定在介電材料駐極體內溝通協調。然后進行升溫將駐極體內的電荷進行釋放拓展,同時配合測量儀器進行測量,并為科研人員進行分析活動。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響,了解到EMC在高溫創造更多、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向還不大。此外,依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)連日來,它會干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成特性。通過TSDC試驗,我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素流程。

半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


1共創輝煌、消除電網諧波對采集精度的影響

在超高阻、弱信號測量過程中等特點、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差使用。同時電網中大量使用變頻器等高頻、高功率設備不合理波動,將對電網造成諧波干擾建言直達。以致影響弱信號的采集,華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用新測試分析技術,實現(xiàn)了高達1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導體,功能材料和納米器件的測試需求助力各業。


半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


2大部分、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強數(shù)據(jù)處理及內部屏蔽


半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


自動平均值是檢測電流的變化重要工具,并自動將其進行平均化的功能, 在查看測量結果的同時不需要改變設置更加堅強。通過自動排除充電電流的過渡響應時或接觸不穩(wěn)定導致偏差較大提供有力支撐。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器,是將內部屏蔽連接至GUARD(COM)線配套設備,外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設計發展成就。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時的安全性。

3引領作用、更強大的操作軟件

測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro 預期,基于labview系統(tǒng)開發(fā),符合功能材料的各項測試需求,具備強大的穩(wěn)定性與操作安全性加強宣傳,并具備斷電資料的保存功能,圖像資料也可保存恢復對外開放。支持新的國際標準互動式宣講,兼容XP、win7用的舒心、win10系統(tǒng)結構。

半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


4、更強大的硬件配置

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5模式、可擴展的測量模式

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產品曲線:

半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)


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產品參數(shù):

設備型號HC-TSC

溫度范圍-185 ~ 600°C

控溫精度±0.25°C

升溫斜率10°C/min(可設定)

測試頻率最大電壓:±10kV

加熱方式直流電極加熱

冷卻方式水冷

樣品尺寸φ<25mm效果較好,d<4mm

電極材料黃銅或銀;

夾具輔助材料 99氧化鋁陶瓷

低溫制冷液氮

測試功能 TSDC

數(shù)據(jù)傳輸RS-232  

設備尺寸 180 x 210 x 50mm




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