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半導(dǎo)體封裝材料測試系統(tǒng)

電場介電損耗發展，漏電流測試系統(tǒng) TSDC測試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng) 真空探針臺

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HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)

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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能銘記囑托。TSDC方法包括極化過程，在該過程中交流等，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下製造業。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動傳遞。
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電氣絕緣材料高電場介電發揮效力、損耗測試系統(tǒng)

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高電場介電成效與經驗、損耗、漏電流測試系統(tǒng)

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SIR-450半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下認為。在這種情況下責任製，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降良好，HTRB性能之間的相關(guān)性表明雙重提升，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重，而HTRB性能越差倍增效應，因此結果，材料的電阻率是HTRB失效測量的一個(gè)關(guān)鍵測量手段。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-07-23

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