簡要描述:功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能應用。TSDC方法包括極化過程解決方案,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下成就。在這種情況下初步建立,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
品牌 | HUACE/北京華測 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,汽車,綜合 |
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功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)
功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)產(chǎn)品介紹:
研究前景:
環(huán)氧塑封料(EMC相貫通, Epoxy Molding Compound)是用于半導(dǎo)體封裝的一種熱固性化學(xué)材料增產,是由環(huán)氧樹脂為基體 樹脂,以高性能酚醛樹脂為固化劑全方位,加入硅微粉等為填料信息,以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料,為后道封裝的主要原材料之一管理,目前95%以上的微電子器件都是環(huán)氧塑封器件廣泛關註。環(huán)氧塑封料具有保護(hù)芯片不受外界環(huán)境的影響,抵抗外部溶劑、濕氣顯示、沖擊,保證芯片與外界環(huán)境電絕緣等功能大局。環(huán)氧塑封料對高功率半導(dǎo)體器件的高溫反向偏壓(HTRB)性能有重要控制作用豐富內涵。
產(chǎn)品概述:
熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程新型儲能,在該過程中深入實施,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下不同需求,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動業務指導。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明,極化峰值越
高發展空間,TSDC曲線越大創造性,而HTRB性能越差,但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強(qiáng)放電信號時(shí)的某些故障就此掀開。因此能力,弛豫時(shí)間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)。
關(guān)于環(huán)氧塑封料(EMC總之, Epoxy Molding Compound)TSDC測試技術(shù)長足發展,為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應(yīng)用到更多的半導(dǎo)體封裝材料及半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的足了準備,同時(shí)加速國產(chǎn)化IGBT規模設備、MOSFET等功率器件的研發(fā)支撐作用。如無錫凱華、中科科化至關重要、飛凱材料等企業(yè)著力提升。
應(yīng)用場景:
材料研發(fā)與性能評估:介電材料研究、絕緣材料評估建設項目、半導(dǎo)體材料分析;電子元器件與封裝技術(shù):元器件可靠性測試、封裝材料選擇設計標準、封裝工藝優(yōu)化深度;電力與能源領(lǐng)域:電力設(shè)備絕緣監(jiān)測、儲能材料研究大部分;其他領(lǐng)域:生物分子材料研究重要工具、環(huán)境監(jiān)測與保護(hù);半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)在材料研發(fā)更加堅強、電子元器件與封裝技術(shù)、電力與能源領(lǐng)域以及其他多個領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景實際需求。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展配套設備,TSDC測試系統(tǒng)將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
產(chǎn)品原理:
TSDC是一種研究電荷存儲特性的實(shí)驗(yàn)技術(shù)性能,用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫建議,該方法包括一個極化過程,其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強(qiáng)度下設計。在此之后,試樣在外加電場的作用下迅速進(jìn)行冷卻。以這種方式善謀新篇,電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)推進高水平。然后進(jìn)行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進(jìn)行釋放,同時(shí)配合測量儀器進(jìn)行測量供給,并為科研人員進(jìn)行分析不斷發展。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導(dǎo)體HTRB可靠性的影響,了解到EMC在高溫拓展應用、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向非常重要。此外,依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)自動化方案,它會干擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉(zhuǎn)層的正常形成行動力。通過TSDC試驗(yàn),我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導(dǎo)致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素空間廣闊。
1落到實處、消除電網(wǎng)諧波對采集精度的影響
在超高阻情況、弱信號測量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差核心技術。同時(shí)電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻綠色化、高功率設(shè)備,將對電網(wǎng)造成諧波干擾創新能力。以致影響弱信號的采集至關重要,華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用新測試分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導(dǎo)體,功能材料和納米器件的測試需求。
2發展、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強(qiáng)數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽
自動平均值是檢測電流的變化改進措施,并自動將其進(jìn)行平均化的功能, 在查看測量結(jié)果的同時(shí)不需要改變設(shè)置效果。通過自動排除充電電流的過渡響應(yīng)時(shí)或接觸不穩(wěn)定導(dǎo)致偏差較大發展的關鍵。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器,是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線求得平衡,外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計(jì)有所應。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時(shí)的安全性。
3面向、更強(qiáng)大的操作軟件
測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro 今年,基于labview系統(tǒng)開發(fā),符合功能材料的各項(xiàng)測試需求合作關系,具備強(qiáng)大的穩(wěn)定性與操作安全性真諦所在,并具備斷電資料的保存功能,圖像資料也可保存恢復(fù)結構不合理。支持新的國際標(biāo)準(zhǔn)提供深度撮合服務,兼容XP、win7競爭力、win10系統(tǒng)最為突出。
4、更強(qiáng)大的硬件配置
5作用、可擴(kuò)展的測量模式
產(chǎn)品曲線:
產(chǎn)品參數(shù):
設(shè)備型號:HC-TSC
溫度范圍:-185 ~ 600°C
控溫精度:±0.25°C
升溫斜率:10°C/min(可設(shè)定)
測試頻率:最大電壓:±10kV
加熱方式:直流電極加熱
冷卻方式:水冷
樣品尺寸:φ<25mm,d<4mm
電極材料:黃銅或銀;
夾具輔助材料 :99氧化鋁陶瓷
低溫制冷:液氮
測試功能 :TSDC
數(shù)據(jù)傳輸:RS-232
設(shè)備尺寸 :180 x 210 x 50mm
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