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簡要描述：評估絕緣材料劣化程度離子遷移評估系統(tǒng)作用，離子遷移是指電路板上的金屬如銅重要意義、銀、錫等在一定條件下發(fā)生離子化并在電場作用下通過絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致絕緣性能下降應用的選擇。絕緣電阻劣化（離子遷移）評估系統(tǒng)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備效率。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-07-21訪 問 量：822產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | HUACE/北京華測 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子/電池,汽車及零部件,電氣,綜合 |
|---|---|---|---|
| 品牌 | 華測 | 是否定制 | 是 |
| 是否進(jìn)口 | 否 | 測量電壓 | 100~1500V（可定制） |
| 測試通道 | 128通道（可定制至高960通道） | 測試時(shí)長 | 可連續(xù)運(yùn)行1500小時(shí) |
| 測試溫度 | 85℃（可定制） | 測試濕度 | 85%（可定制） |
| 測量范圍 | 1×10^5~1×10^15Ω | 極化電壓 | 100~1500V（可定制） |
| 掃描周期 | 最快2分鐘（128通道） |
絕緣電阻劣化（離子遷移）評估系統(tǒng)
評估絕緣材料的劣化程度和離子遷移現(xiàn)象
評估絕緣材料劣化程度離子遷移評估系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：
離子遷移是指電路板上的金屬如銅構建、銀、錫等在一定條件下發(fā)生離子化并在電場作用下通過絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致絕緣性能下降。絕緣電阻劣化（離子遷移）評估系統(tǒng)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備平臺建設。它通過在印刷電路板上施加固定的直流電壓，并經(jīng)過長時(shí)間的測試（1~1000小時(shí)可按需定制）服務延伸，觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生先進技術，并記錄電阻值的變化狀況，從而評估絕緣材料的劣化程度和離子遷移現(xiàn)象的影響廣泛認同。
評估絕緣材料劣化程度離子遷移評估系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域：
封裝材料：助焊劑進入當下、印刷電路板、光刻膠服務好、釬料首次、樹脂、導(dǎo)電膠等有關(guān)印刷電路板效高化、高密度封裝的材料生產效率；
電子材料：印BGA、CSP等精細(xì)節(jié)距IC封裝件部署安排；
有機(jī)半導(dǎo)體：PPV競爭激烈、NDI、OFETs效果、OSCs學習、OLEDs等；
電子元器件：電容改善、連接器等其他電子元器件及材料；
絕緣材料：各種絕緣材料的吸濕性特性評估。
技術(shù)參數(shù)：
測量電壓：100~1500V（可定制）
測試通道：128通道（可定制至高960通道）
測試時(shí)長：可連續(xù)運(yùn)行1500小時(shí)
測試溫度：85℃（可定制）
測試濕度：85%（可定制）
測量范圍：1×105~1×1015Ω
極化電壓：100~1500V（可定制）
掃描周期：最快2分鐘（128通道）
恒溫試驗(yàn)箱
型號：HC-80 溫度范圍：RT ~ +100℃ 內(nèi)部容積（L）：80
型號：HC-512 溫度范圍：RT ~ +200℃ 內(nèi)部容積（L）：512
迷你高低溫環(huán)境箱
型號：HC-35 溫度范圍：-40 ~ +100℃ 內(nèi)部容積（L）：35
型號：HC-70 溫度范圍：-70 ~ +200℃ 內(nèi)部容積（L）：70
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