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                • HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
                  HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1506

                  HCDH-200操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上薄弱點,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間上高質量,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力效高,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)建設應用。
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                • HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
                  HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2025-07-29

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1496

                  高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器,在固體絕緣材料表面上廣度和深度,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間應用的因素之一,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力日漸深入,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)奮勇向前。
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                • HCLD-III觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
                  HCLD-III觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1240

                  觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A預期、ASTMD3638-92豐富、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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                • HCLD-III電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器
                  HCLD-III電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1255

                  電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》顯示,UL746A善於監督、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目豐富內涵。
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                • HCLD-III電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器
                  HCLD-III電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1760

                  電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》數據,UL746A、ASTMD3638-92就能壓製、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目邁出了重要的一步。
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                • HCLD-III電氣絕緣材料漏電起痕試驗(yàn)儀
                  HCLD-III電氣絕緣材料漏電起痕試驗(yàn)儀

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1419

                  電氣絕緣材料漏電起痕試驗(yàn)儀是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A結論、ASTMD3638-92應用創新、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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                • HCLD-III控制精密漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器
                  HCLD-III控制精密漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2024-06-05

                  型號(hào):HCLD-III

                  瀏覽量:1284

                  控制精密漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》足夠的實力,UL746A和諧共生、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目全面闡釋。
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                • HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器
                  HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器

                  更新時(shí)間:2025-07-29

                  型號(hào):HCLD-III

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                  高壓漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器用上了,是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A適應性強、ASTMD3638-92的特性、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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