簡介：

 HCTZ-2型數(shù)字式四探針測試儀器是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備結構。

 儀器由主機空間廣闊、探針測試臺、四探針探頭效果、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由四探針測試儀器主機直接顯示，亦可與計算機相連接通過四探針軟件測試系統(tǒng)控制測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)服務水平，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析線上線下，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄能力建設、顯示出來知識和技能。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中像一棵樹，讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析協同控製。

 儀器采用了電子技術進行設計、裝配高效利用。具有功能選擇直觀體驗區、測量取數(shù)快、精度高品質、測量范圍寬提供了遵循、穩(wěn)定性好、結構緊湊能運用、易操作等特點利用好。

 本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠講理論、科研單位有望、高等院校對半導體材料的電阻測試。

測量原理：

將四根排成一條直線的探針以一定的壓力垂直地壓在被測樣品表面上解決問題，在 1服務效率、4 探針間通以電流 I(mA)不要畏懼，2、3 探針間就產生一定的電壓 V(mV)(如圖1)蓬勃發展。測量此電壓并根據(jù)測量方式和樣品的尺寸不同作用。

直線四探針測試原理圖

技術指標：

1、測量范圍

電阻率：10^-4～10⁵Ω.cm問題；

方塊電阻：10^-3～10⁶Ω/□意見征詢；

電阻：10^-4～10⁵Ω；

電導率：10^-5～10⁴s/cm深入闡釋；

可測晶片直徑：140mmX150mm (配S-2A型測試臺)集聚；

      200mmX200mm (配S-2B型測試臺)；

        400mmX500mm (配S-2C型測試臺)自動化裝置；

2狀態、恒流源

電流量程分為 1μA、10μA關規定、100μA更多的合作機會、1mA、10mA指導、100mA 六檔可以使用，各檔電流連續(xù)可調；

3關註點、數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV廣泛認同；　　　　　

分辨力：10μV；

輸入阻抗：＞1000MΩ建強保護；  

精度：±0.1%服務好；

顯示：點陣顯示屏；　　

4 流動性、四探針探頭基本指標

間距：1±0.01mm效高化；

針間絕緣電阻: ≥1000MΩ；

機械游移率: ≤0.3％反應能力；

探針：碳化鎢或高速鋼材質部署安排，探針直徑Ф0.5mm；

探針壓力：5～16 牛頓(總力)投入力度；

5 效果、四探針探頭應用參數(shù)

C：探針系數(shù)；

F：探針間距修正因子技術；

S：探針平均間距改善；

6、 模擬電阻測量相對誤差（按 JJG508-87 進行）

0.01Ω、0.1Ω推廣開來、1Ω參與能力、10Ω、100Ω資源優勢、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字過程中；

7 振奮起來、整機測量大相對誤差

(用硅標樣片:0.01-180Ω.cm 測試)≤±5％；

8 特征更加明顯、整機測量標準不確定度≤5％增多；

9 、外型尺寸（大約）

電氣主機: 460mm×320mm×100mm；

10 估算、儀器重量（大約）

電氣主機: 3.5kg；

11達到、標準使用環(huán)境

溫度:：23±2℃深入各系統；

相對濕度：≤65％；

無高頻干擾的可能性；

無強光直射進一步推進；

注意:使用1μA量程時，允許有小于1.0nA的空載電流.應在相對濕度小于50%時使用系列。

設備特點：

1明確相關要求、可以測量高溫、真空方案、氣氛下薄膜方塊電阻和薄層電阻率特點；

2、軟件統籌發展、觸摸屏品質、高溫爐等集成于一體，可以進行可視化操作空間載體；

3體製、可實現(xiàn)純凈氣氛條件下的測量；同時保證探針在高溫下不氧化即將展開；

4向好態勢、采用labview軟件開發(fā)，操控性創新科技、兼容性好更默契了、方便升級；

5有很大提升空間、可自動調節(jié)樣品測試電壓要求，探針和薄膜接觸閃絡現(xiàn)象；

6、控溫和測溫采用同一個傳感器運行好，保證樣品每次采集的溫度都是樣品實際溫度國際要求；

7、可配套使用Keithley2400或2600數(shù)字多用表同期。

設備保養(yǎng)：

經常保持設備和計算機的清潔新趨勢、衛(wèi)生。

預防高溫鍛造、過濕新體系、灰塵、腐蝕性介質共謀發展、水等浸入機器或計算機內部搖籃。

定期檢查，保持零件創造、部件的完整性使用。