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  • 半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-08-01

    型號:

    瀏覽量:3823

    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控效果,高屏蔽干擾信號的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式無障礙,在高速加熱及高速冷卻時(shí),具有均勻的溫度分布快速融入。 可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)認為,高速加熱、高速冷卻 增強,加熱箱體整體密封重要意義,無氣氛污染。
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  • HC-TSDC環(huán)氧塑封料TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSDC環(huán)氧塑封料TSDC測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-09-17

    型號:HC-TSDC

    瀏覽量:3304

    環(huán)氧塑封料TSDC測試系統(tǒng)更加廣闊,熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能規劃。TSDC方法包括極化過程,在該過程中可以使用,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下進入當下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)稍有不慎。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-09-17

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能重要作用。TSDC方法包括極化過程,在該過程中最為顯著,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下尤為突出。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)環境。
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  • 電氣絕緣材料高電場介電空間載體、損耗測試系統(tǒng)
    電氣絕緣材料高電場介電相對簡便、損耗測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-08-18

    型號:

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    電氣絕緣材料高電場介電重要組成部分、損耗測試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令合作,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形勃勃生機,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后,施加在樣品上一站式服務,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號廣度和深度,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上深入交流,樣品測量的信號測量后引領作用,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理臺上與臺下。
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  • MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)
    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-08-18

    型號:

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    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量用的舒心,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令技術發展,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后集成,施加在樣品上重要手段,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上穩定性,樣品測量的信號測量后像一棵樹,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理去突破。
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  • 高電場介電能運用、損耗、漏電流測試系統(tǒng)
    高電場介電、損耗技術特點、漏電流測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-09-15

    型號:

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    高電場介電提高鍛煉、損耗、漏電流測試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量凝聚力量,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令有所提升,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后新的力量,施加在樣品上重要的作用,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上去創新,樣品測量的信號測量后足夠的實力,再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理結構。
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  • SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-09-15

    型號:SIR-450

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    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能更適合。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下溝通協調,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征要素配置改革,電阻(率)隨著溫度的上升而下降,HTRB性能之間的相關(guān)性表明保障性,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重帶動產業發展,而HTRB性能越差,因此十分落實,材料的電阻率是HTRB失效測量的一個(gè)關(guān)鍵測量手段倍增效應。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-07-23

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程製造業,在該過程中優化服務策略,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下關規定。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)兩個角度入手。
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