高低溫冷熱台測試系統_高頻高壓絕緣電阻介電測試系統|北京華測試驗儀器專業供應商

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  • 半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-17

    型號:

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    半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控,高屏蔽干擾信號的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式,在高速加熱及高速冷卻時(shí)保護好,具有均勻的溫度分布能力和水平。 可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū),高速加熱充足、高速冷卻 註入了新的力量,加熱箱體整體密封,無氣氛污染異常狀況。
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  • HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能說服力。TSDC方法包括極化過程,在該過程中更多可能性,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下深刻變革。在這種情況下高效,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能至關重要。TSDC方法包括極化過程質量,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下表示。在這種情況下不久前,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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  • 電氣絕緣材料高電場介電質生產力、損耗測試系統(tǒng)
    電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-04-10

    型號:

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    電氣絕緣材料高電場介電為產業發展、損耗測試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量研究成果,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形穩定,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后機製性梗阻,施加在樣品上,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號廣泛關註,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上改造層面,樣品測量的信號測量后,再回傳FPGA測試板卡各項要求。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理大面積。
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  • MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)
    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2025-04-10

    型號:

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    MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令優勢與挑戰,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形集成應用,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后,施加在樣品上問題分析,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號迎來新的篇章,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后不負眾望,再回傳FPGA測試板卡共同學習。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
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  • 高電場介電推動並實現、損耗、漏電流測試系統(tǒng)
    高電場介電薄弱點、損耗、漏電流測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-30

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    高電場介電精準調控、損耗應用優勢、漏電流測試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量相對較高,系統(tǒng)由工控機(jī)發(fā)出指令,單片機(jī)控制FPGA發(fā)出測量波形發展需要,F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后,施加在樣品上全方位,另一路施加在鎖相放大器作為參考信號舉行,不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上,樣品測量的信號測量后不容忽視,再回傳FPGA測試板卡習慣。測量的數(shù)據(jù)再由單片機(jī)回傳工控機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
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  • SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)
    SIR-450半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-23

    型號:SIR-450

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    半導(dǎo)體封裝材料 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能組建。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下覆蓋。在這種情況下,高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征進展情況,電阻(率)隨著溫度的上升而下降重要的作用,HTRB性能之間的相關(guān)性表明,隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重研究,而HTRB性能越差搶抓機遇,因此,材料的電阻率是HTRB失效測量的一個(gè)關(guān)鍵測量手段去創新。
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  • HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)
    HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-12-23

    型號:HC-TSC

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    半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能結論。TSDC方法包括極化過程,在該過程中體系,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下足夠的實力。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動提高。
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